焦佑钧：华邦持续布局手机市场，自行开发提升技术

平行式快闪存储器(Parallel NOR Flash)，为高密度产品，效能佳，价格较高；序列式属于低密度产品，效能较差，价格低；近年来，市场趋势出现转变，在封装制造成本考量，以及序列式快闪存储器的效能逐渐提升，越来越受到青睐，尤其是中低阶的功能性手机开始采用序列式快闪存储器，带动成长。

华邦电耕耘序列式快闪存储器市场已久，今年开始切入手机运用，明年将持续拓展手机市场；在DRAM方面，华邦以特殊型DRAM为主，焦佑钧认为DRAM短期间仍比较辛苦。
华邦过去曾采行奇梦达的技术，当时就发现每月要为其代工DRAM 1.5万片是很不划算的生意，甚至比付权利金更不利；奇梦达在金融海啸时破产并退出市场后，华邦就决定自行开发技术，目前为台系DRAM厂中唯一一家有自主技术者，以46纳米DRAM技术及58纳米Flash制程的产品将在第四季正式送样，至于下一世代将再切入何种制程则将于近期决定。
焦佑钧表示，公司自行开发技术，带动员工士气更为高昂，预期Serial NOR Flash取代Parallel NOR Flash的产业趋势持续，华邦也将关注客制化DRAM的市场，持续提升技术，降低成本，以及创造产品的附加价值为努力方向，目标仍是每季都能维持获利。