日经新闻12日报导，因半导体厂商看好智慧型手机需求而纷纷扩增相关电子零件产能，导致零件供应量扩增幅度高于需求增加幅度，造成NAND型快闪记忆体 (Flash Memory)、DRAM等智慧机用电子零件价格正持续走跌。报导指出，因东芝等NAND Flash厂商已着手量产更低奈米 (nm)等级的产品，加上部份厂商将生产重心自收益性不佳的PC用DRAM转向NAND Flash，导致NAND Flash供应量急增，故3月份出货给记忆卡厂商的32 Gb NAND Flash价格为3.8美元/个，较2月相比下滑了9%，64 Gb产品价格也下滑了10%。
报导指出，在DRAM部分，每台行动装置搭载的DRAM数量虽呈现增加态势 ，惟因DRAM厂纷纷扩增行动装置用DRAM产量(减少PC用DRAM产量)，故并未出现供应不足情况，因此4 -6月4 Gb DRAM出货价格大多落在5-7美元/个，较前季(1-3月)下滑了10-20%。报导并指出，因半导体厂商为了扩大市占率，故料不会变更当前采行的增产分针，因此预 估今后数个月智慧机用零件料将持续呈现供过于求的局面。
朝日新闻于4月4日报导，因智慧型手机等行动装置日益普及，带动NAND Flash需求将持续扩大，故东芝计画于今(2012)年夏天动工兴建新厂房，扩增NAND Flash产能，以借此追击龙头厂三星电子；该座NAND Flash新厂房预计将于2013年量产。
南韩媒体《每日经济新闻( Maeil Business Newspaper)》曾于3月22日报导指出，三星 NAND Flash新厂将坐落于中国大陆陕西省西安市。三星曾于去年12月6日表示，这座新厂预定在2012年动工兴建，到了2013年便可望投产。Thomson Reuters于4月2日报导指出，三星对上述西安NAND Flash厂的投资额预估将达70亿美元。
