锐迪科高性能开关 助力LTE射频前端解决方案
来源:科技日报发布时间:2019-09-10900浏览
询问 AI日前，锐迪科（RDA）宣布推出RDASW29 系列射频开关，此系列开关采用先进的SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）工艺，性能突出，在大幅度提高多模多频LTE终端整机性能的同时，也提高了LTE射频方案设计和配置的灵活性，将助力于LTE终端的射频前端解决方案。
锐迪科(RDA)是国内首屈一指的射频前端芯片设计公司，其业务遍布手机通讯、无线连接和广播通信领域等多个领域。射频开关是射频前端解决方案中的重要部件，已经逐步在某些应用中替代双工器的角色。近些年在射频前端中，由于SOI工艺开关在低控制电压和高掷数条件下，`有着GaAs工艺开关不可比拟的优势，SOI成为未来小型化低成本射频开关的首选工艺。
据了解，RDA是国内最早一批采用SOI工艺设计射频开关的公司，已经与多家foundry开展了战略合作，2011年宣布成功推出全球首款单管芯全集成的SP9T主天线开关模块，用于快速增长的多频带3G终端。RDA的开关产品广泛应用于全球各大手机知名品牌，如Samsung Galaxy Star和Samsung Galaxy Pocket Neo 这两款智能手机采购的RDASW36开关已超千万颗。截至目前，仅三星一家在RDA开关产品的采购量已累计超过亿颗。RDA近期又推出了超小尺寸开关产品SW29系列射频开关，该系列产品采用先进的FCQFN封装技术，有效地缩减封装体积，此系列产品已被韩国三星公司选定，用于旗下的多款手机产品，预计2015年下半年出货量可达5000万颗。
RDA射频开关产品线不仅包括目前LTE射频前端解决方案中的SP2T到SP16T等单刀多掷开关，更是为未来射频前端载波聚合方案设计研发了高性能的多刀多掷开关，完美支持现有的“五模十二频“方案和未来的射频前端方案。高性能的射频开关有助于提高复杂的LTE射频方案的综合性能。RDA与foundry厂保持紧密的联系，从工艺到电路设计全面优化，公司在研的多载波聚合方案的开关也会在近期推出。RDA在射频开关技术领域已拥有多项专利。
“四年前，RDA推出全球首款采用SOI工艺的单芯片集成射频天线开关模块”锐迪科微电子的首席执行官兼技术官魏述然表示：“在高功率低插损开关产品方面，RDA有着丰富的技术积累并持续科技创新，超小尺寸开关产品在性能和成本方面非常具有竞争力，我们相信丰富的射频天线开关产品线能给RDA带来更多机遇。”
锐迪科微电子成立于2004年，致力于射频及混合信号芯片和系统芯片的设计、开发、制造、销售并提供相关技术咨询和技术服务，2010年在美国纳斯达克上市，2014年被清华紫光集团收购。
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