英飞凌：碳化硅扩张时点比预期更接近

日经亚洲评论周一（9月6日）报道，罗姆（Rohm Co.）首席策略官Kazuhide Ino表示，芯片制造商已从携手打造碳化硅（SiC）市场进入了相互竞争阶段。法国市场研究机构Yole Developpement预估，2026年SiC电源芯片市场规模将较2020年增长6倍、达44.8亿美元。

德国芯片制造商英飞凌（Infineon Technologies）6月推出的电动汽车（EV）逆变器SiC模块将应用在现代汽车（Hyundai Motor）次世代EV。与硅相比、这些芯片据悉可让EV续航里程增加5%以上。日本英飞凌经理表示，SiC扩张时间点显然比预期更加接近。

英飞凌9月2日创2001年5月28日以来收盘新高，9月3日下跌0.40%、收36.95欧元。

意法半导体9月2日创2001年1月31日以来收盘新高，9月3日下跌0.11%、收44.88美元。

吉利电动汽车将采用罗姆SiC解决方案

罗姆8月6日宣布与中国汽车制造商吉利汽车集团创建策略伙伴关系。吉利计划通过罗姆的先进SiC功率解决方案延长电动汽车续航里程、降低电池成本并缩短充电时间，内置罗姆碳化硅功率组件的电控系统将被应用于吉利正在开发的纯电动汽车平台。

罗姆位于德国纽伦堡的生产设施SiCrystal向全球市场供应碳化硅芯片。

罗姆9月3日上涨3.12%、收11,230.00日元，创4月22日以来收盘新高，今年以来上涨12.41%。