MIT设计出特别的二维电子系统 相对常现系统可多储40%的电荷

　　通过电子相关效应的实验，研究人员提高了一个特别的二维电子系统的能力，使其可储存多出40%的电荷。 据研究人员披露，这一改良对增加场效应晶体管的速度、限制其功率的消耗并同时限制其热量的产生有帮助。

　　在正常情况下，一个平界面的保有电子负荷的能力受到其几何性质的限制，尽管有效地降低库伦排斥的电子-电子间的相互作用迄今只能增加这一能力的数量级的几 个百分点。 Lu Li及其同事如今证明，这种电子相关效应可降低化学势能，并能相当显著地在两个金属氧化物的界面提高电荷保持能力。 负压缩效应可导致电容增长40%；在一个二维电子系统中的电子间能量的交换和关联可在电子密度增加的时候通过这一增长而降低该系统中的化学势能。