联电宣布与颀邦交换持股布局封测，携手瞄准化合物半导体市场

晶圆代工大厂联电及100%持股子公司宏诚创投宣布，两家公司董事会通过与颀邦科技进行股份交换案。预计未来顺利完成之后，联电及颀邦科技两家公司将建立长期战略合作关系。

联电指出，双方基于多年来在驱动IC的领域密切联系合作，双方董事会决议以换股方式，相互取得对方股权，更进一步强化双方长期战略合作关系。三方同意依相关法规进行股份交换，由颀邦增资发行普通股新股67152322股作为对价，以受让联电增资发行之普通股新股61107841股，以及宏诚创投所持有之联电已发行普通股16078737股，换股比例为联电每1股换发颀邦0.87股。预计换股交易完成后，联电及子公司宏诚创投将共同持有颀邦约9.09%股权，颀邦则将持有联电约0.62%股权。

联电强调，联电当前以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产芯片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的芯片设计需求，所提供方案横跨14纳米到0.6微米之制程技术。颀邦的技术制程主要是聚焦于面板驱动IC封装测试、覆晶凸块制作及晶圆级芯片尺寸封测（WLCSP），并持续投入扇出型系统级封装（FOSiP）及覆晶系统型封装（FCSiP）等相关高端先进封装技术制程开发。

另外，联电为中国台湾地区最早经营面板驱动IC晶圆代工的厂商，亦为成功使用28纳米高压制程于AMOLED面板驱动IC之先行者，并已进阶至22纳米。颀邦则是全球驱动IC封测代工领导者，产能、技术独步全球。两家公司将在驱动IC领域密切合作，整合前、后段制程技术，往更高频、更低功耗等方向迈进，共同提供面板业界一元化的解决方案。

联电进一步表示，联电近年积极投入开发化合物半导体氮化镓（GaN）功率元件与射频组件制程开发，锁定市场商机为高效能电源功率元件及5G射频元件。颀邦在电源功率元件及射频元件封测市场经营多年，并已在此行业占有举足轻重之地位，服务项目包括覆晶凸块（Bumping）、厚铜重布线（RDL）及晶圆级芯片尺寸（WLCSP）封测，适用晶圆材质除了硅（Si）外，也已经开始量产于砷化钾（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物晶圆上。颀邦也正在致力开发覆晶系统级（FCSiP）、扇出型系统级（FOSiP）等先进封装技术。联电、颀邦分居产业供应链之上下游，两家公司将在这些市场区块通力合作。

联电总经理简山杰表示，联电一向致力于以全球化布局扩展营运规模、强化客户竞争力及提升股东价值。面对半导体技术日趋精进，基于产业趋势及市场共同性，联电除了研发自有晶圆代工技术，也与策略伙伴携手合作，结合双方技术优势，整合上下游供应链资源，提供客户先进的制程技术方案及更完整的全方位服务。