经费不足？传深圳第三代半导体研究院宣告解散

9月4日消息，近日网上流传出一份疑似深圳第三代半导体研究院发布的《解散通告》显示，因为经费不足等原因，深圳第三代半导体研究院决定自2021年8月31日起全面停止经营。清理公司资产及债权债务，清算完成后向深圳市民政局申请注销登记。

官网资料显示，2018年3月31日，在深圳市委市政府支持下，第三代半导体产业技术创新战略联盟、南方科技大学主要参与共建的深圳第三代半导体研究院正式启动。

研究院面向2030国家第三代半导体战略需求，围绕建设世界科技强国的战略目标，依托第三代半导体产业技术创新战略联盟，通过资源整合、优势互补、错位发展，创新体制机制打造的开放式、国际化、全链条的第三代半导体协同创新平台。

研究院立足深圳、覆盖粤港澳大湾区、面向全国，力争成为国家第三代半导体技术创新中心，推动中国第三代半导体全产业链进入世界先进行列。

工商注册资料显示，深圳第三代半导体研究院注册资本200万元，法人代表为王苏生。

深圳第三代半导体研究院旗下有一家100%控股的子公司——深圳市科芯创新技术有限公司，成立于2020年1月8日，注册资金200万元，法人代表为徐群。经营范围包括：科技创新成果转化、科技项目孵化；科技产业规划；科技园区运营管理；知识产权代理；为科技成果转化、科技项目孵化、科技企业成长和区域产业发展提供管理服务等。

此外，深圳第三代半导体研究院还参股了创芯（深圳）孵化器有限公司，持有其30%的股权。

值得注意的是，今年4月2日，上海翱晶半导体科技有限公司因买卖合同纠纷起诉了深圳第三代半导体研究院，不过随后上海翱晶半导体科技有限公司又撤诉了。

截至目前，深圳市第三代半导体研究院官方渠道还没有发布任何有关解散的消息，官网也能正常打开。

第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体，是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的最基础材料。

第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。

还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

它们主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg>2.3eV）的半导体材料。

它们具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度、更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC、GaN，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

当前我国发展第三代半导体及其器件的最大瓶颈是原材料。我国 SiC 和 GaN 材料的制备与质量等问题亟待破解。

目前我国对 SiC 材料制备的设备尚为空缺，大多数设备还依赖进口。国内开展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比较晚，与国外相比水平还较低。因此，发展第三代半导体材料和器件的步伐有待加速。