清华大学开发新技术改善MRAM存储速度与功耗

      来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术，号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善；这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少。

      上述新技术的基本概念，是将磁域开关「部分」开关、而非完全转换其磁场方向；北京清大的研究人员表示，这种方式仍能让MARM储存二进制位元，但所需的开关速度却快得多，所耗费的能源量也是会比一般状况少很多。

      传统MRAM是利用磁场来开关位元单元，使得这种存储器的密度不如快闪存储器；不久前，一个日本研究团队也发表了利用电子开关方式执行垂直写入，让MRAM储存密度可获得大幅提升、甚至可超越快闪存储器的方法。北京清大的研究团队则声称，以电子方式开关的MRAM，在速度与功耗方面都优于目前的磁性开关元件。

      不同于磁性开关的MRAM位元单元需要较复杂的多层堆栈(multilayered stack)，北京清大研究人员所制作的电子开关MRAM位元单元，仅只使用了两层不同的铁电薄膜。透过将该双层架构的条纹状磁区间的障壁打散，会产生一种影响其磁性的电子讯号；这会让该架构转换成单一磁区，其薄膜的电阻率也被改变到刚好侦测得到。