Hynix宣布成功开发出30nm制程级别DDR4内存芯片

    韩国Hynix宣布已成功开发出2Gbit密度的DDR4内存芯片，以及采用这种芯片制作的2GB容量的DDR4内存条.这款DDR4内存芯片采用 30nm级别（关键尺寸在30-39nm范围）制程制作。Hynix开发的2GB DDR4内存条上安装有ECC校验芯片，采用笔记本内存常用的小型双列直插封装(SODIMM)形式。这款内存条的主要用途将是用于小型服务器机型。 Hynix表示将于明年下半年开始DDR4内存产品的量产。