三星扩产计划暂缓，1y纳米成本无法控制

据外媒6月19日报道，市场传出存储器龙头韩国三星电子暂缓DRAM扩产消息。据业界消息，三星因为制程转进1y纳米后无法有效降低单位生产成本，原本第三季于韩国平泽厂(Pyeongtaek)东翼大楼(east wing)2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后，DRAM价格持续看涨到年底。

数据显示，2017年全球存储器市场增长率达到60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM消费产品中，移动终端、服务器和PC依旧占据头三名，合计占比86%。

机构认为，随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动，移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。但由于光刻技术接近瓶颈，1y纳米微缩难度超预期等问题致使DRAM新增产能进度缓慢。此次三星部分扩产计划暂缓或将增加DRAM供应紧张预期。业内预计DRAM存储器进入三季度有望量价齐升，价格或持续看涨到年底，国内产业链公司有望受益。