中芯国际背照式CMOS成像传感技术研发取得突破进展

中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际")，昨日宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式 CMOS 成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步入产业化阶段，更好地满足高端智能移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。

背照式 CMOS 成像传感芯片工艺技术开发的成功，有助于中芯国际进一步拓展晶圆代工业务，支持国内外客户500万像素以上高分辨率智能手机用图像传感芯片、以及高性能视频影像传感芯片产品的开发和生产。背照式传感器比前照式传感器拥有更强的感光能力，使如今的顶级智能手机在夜晚或室内成像更为明亮、清晰。在该技术步入产业化的同时，中芯国际也将积极开展基于3D集成电路的下一代成像传感芯片晶圆工艺的前期技术开发。

"我们很荣幸成为国内首家取得背照式 CMOS 成像传感器技术突破的晶圆代工厂，"中芯国际首席执行官邱慈云博士表示，"CMOS 成像传感器是我们为移动设备和成像市场客户所提供的关键增值技术之一。"

"在此基础上，我们的研发团队将大力推进背照式传感器技术的商业化生产，"中芯国际技术研发资深副总裁李序武博士表示，"这一突破进一步巩固了中芯国际在国内先进技术领域的领导者地位。"

自2005年起提供前照式 CMOS 影像传感工艺以来，中芯国际即成为 CMOS 成像传感芯片的主要晶圆代工厂商，主要应用于手机及消费电子。为了提供全方位的 CMOS 成像传感晶圆代工服务，中芯国际和日本凸版印刷株式会社于2004年合资成立了凸版中芯彩晶电子(上海)有限公司，在中芯国际上海厂区专业生产 CMOS 成像传感器芯片专用的芯载彩色滤光镜和微镜头。