低成本高性能SiC电力电子技术发展的挑战和应对方法
来源:Amadeus发布时间:2021-08-31528浏览
询问 AI湖南大学电气与信息工程学院王俊教授在电源学会会议上的一篇报告文档
作者介绍：
王俊教授是湖南大学电气与信息工程学院教授、博导，中国功率半导体技术创新与产业联盟专家委员会委员。在功率半导体器件及其电力电子应用领域有较多的研发和产业化经验，所研发的功率半导体器件包括基于Si和SiC材料的二极管、MOSFET、IGBT、GTO、BJT，所研究的电力电子变换器包括基于SiC和GaN的高能效高功率密度PFC、逆变器、DAB、MMC和DC/DC变换器等。2000年在中科院半导体所和2003年在美国南卡大学获得硕士学位，2010年获得美国北卡罗来纳州立大学博士，攻读博士期间分别在美国科锐(Cree)公司和美国橡树岭国家实验室实习，研究报道了首个SiC ETO晶闸管。2010-2014年在美国德州仪器公司（TI）任高级工程师，所研发的18款高性能功率MOSFET 产品（NexFET）被应用到苹果公司的iphone5和ipad2、戴尔和惠普服务器等产品中。是IEEE高级会员，IEEE JESTPE和IET Power Electronics副主编，发表高水平学术论文100余篇，拥有3项美国发明专利、1项日本发明专利和20项中国专利。 新闻来源：宽禁带半导体技术创新联盟，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
