主电路与控制电路产生的du/dt、di/dt的比较

　　控制电路的电压较低，一般只有几伏，电流也只是毫安级，较大容量开关电源主电路的开关器件动作时 ，产生的du/dt与di/dt的绝对值远大于控制电路产生的du/dt和di/dt绝对值。如一台6kW的充电电源，其 主电路和控制电路如图1所示。主电路是一个斩波电路，其直流输入电压由三相二极管整流桥供给。控制 电路则包括控制、驱动和保护等电路。在调试过程中，曾发生过因充电电源本身的干扰而导致保护电路误动作的情况。图2为主要电压波形，说明控制电路所受到的电磁干扰。其中，下图为主电路IGBT开关管V的电压，uce（Ch1）、开关管V的触发信号（Ch3）及控制电路中相应的干扰电压波形（Ch4），上图是矩形虚线框中的波形放大。可知，主电路中IGBT开关电压仍uce跳变时（IGBTェ作在DC90°）及触发脉冲前后沿的对应时刻，都会在控制电路中的某一点产生电磁干扰脉冲，前者对应的干扰脉冲的峰值达到0.5V，后者仅为50mV左右。主电路产生的干扰直接影响控制电路，导致保护电路误动作。触发脉冲（Ch3）产生干扰的幅度只有主电路产生电磁干扰的1/10左右，在分析开关电源系统的电磁干扰问题时，主要应考虑的是主电路开关元件引起的干扰。

　　图1   6kW充电电源电路示意图

　　图2  控制电路主要电压波形