改善VRM输出瞬态响应的办法

　　除了由于输出滤波电容的ESR、ESL，使频繁高速变化的电流引起VRM输出电压的变化外，电路中其他的寄生参数，如引线的寄生电阻、寄生电感也会对VRM的瞬态电压调整变化有很大的影响，因此要尽量减小引线的寄生参数。

　　改善VRM输出瞬态响应的方法有以下几种：

　　（1）在输出端并联解耦电容。但解耦电容也具有ESR和ESL等寄生参数，也会引起解耦电容端的瞬时电压降落。单纯地靠增大解耦电容来改善VRM的瞬态特性并不一定十分有利，这是因为即使是几纳亨的寄生电感也需要100 μF的解耦电容，以保持VRM的瞬态电压在规定的范围内变化。解耦电容越大，所占的空间也越大，与微处理器的尺寸不相称，有时因为受空间的限制，甚至不可能实现。而且增大解耦电容只对改善输出瞬态响应的初期有利，对于瞬态响应后期作用不大。对瞬态响应时间的改善也不显著。

　　（2）用多通道转换器，交错控制输出电流的波，以保证输出电压的纹波，改善输出瞬态响应。

　　表1所示为单纯增大解耦电容和利用交错控制多通道转换器改善输出瞬态响应的结果比较。

　　表1 改善输出瞬态响应两面三刀种方法的比较

　　（3）用电压调整技术改善瞬态输出响应，减少输出电容。Intel公司曾与其他公司合作，联合开发了一种适用于服务器、工作站及台式计算机的两相VRM。输出1.1～1.85 V、60A，外接电容1200 μf×6，电感1 μH，母线电压12 V。采用￣ADP3l60控制芯片，按有源电压调整的原理来改善瞬态响应；VRM采用两片ADP3412稳压电源模块控制器芯片及两个驱动MOSFET，体积小，成本低。

　　（4）缩短VRM与微处理器之间的连接线，减少寄生参数。将VRM与微处理器放在母板（motherboard）上，使VRM与微处理器尽量靠得很近，甚至将电感做成平面磁元件，VRM可以与微处理器系统集成为一个整体（System IntegratiON），取消连接线，使输出滤波器的L、C也大大减小。