再投3.4亿；签约英飞凌！这家SiC公司7次扩产

昨天，昭和电工宣布，将筹集近65亿人民币，进行碳化硅等半导体材料扩产。

据“三代半风向”了解，此前昭和电工已经通过6次扩产，将产能提升了6倍，而这次扩产或与碳化硅需求升温有关。此前，它与英飞凌和日本电装都签署了多年供货协议。

投资3.4亿扩产

满足英飞凌、电装需求？

根据昭和电工8月23日发布的公告，他们发行3519万股新股，以将筹得1093亿日圆（约64.56亿人民币）资金，其中约700亿日圆（约41.35亿人民币）将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

从昭和电工公布的计划投资细则来看，用于碳化硅晶圆等方面扩产的资金约为58亿日圆（3.4亿人民币），扩产项目预计2023年12月完工。

昭和电工这次扩产，将能够更好地满足供货需求。

今年5月6日，昭和电工与英飞凌签订了碳化硅供应合同，合同期为两年，将为英飞凌提供包括外延在内的各种碳化硅材料。

2020年12月10日，昭和电工宣布，日本电装公司已经将其6英寸碳化硅外延片应用在燃料电池电动汽车(FCEV) 升压电源模块。

新日铁助力

外延缺陷减少一半

英飞凌和电装公司之所以跟昭和电工合作，主要是看中其SiC外延片的质量。

据介绍，2005年昭和电子就开始研发SiC外延片，2013年10月还率先推出了6英寸SiC外延片，2017年月产销3000片外延片。

昭和电子的SiC外延片质量大幅提升得益于一次收购。

2017年8月，新日铁住金公司遭遇经济危机，想剥离SiC业务，于是昭和电工就出资收购了PVT法碳化硅长晶相关资产。

收购后，2019年8月，昭和电工正式量产了第一代具有极低缺陷密度的SiC外延片“HGE-2G” ，其直径为6英寸，表面缺陷密度控制是上一代外延片HGE的一半。此外，HGE-2G的基面位错（BPD）转换率也比HGE提高了10倍以上，成功提高了SiC功率半导体的可靠性。

昭和电工扩充6倍产能

1-8月全球涌现8大扩产案

据了解，从2012年至2019年，昭和电工已经先后6次进行了碳化硅扩产，截至2019年其碳化硅外延片产能为9000片/月，相比2012年增长了6倍。

随着市场需求越来越明朗，碳化硅扩产已成为确实。除了Cree在2019年宣布投资65亿扩产30倍产能外，据“三代半风向”统计，今年1-8月全球还有8大扩产案，罗姆、意法半导体、SK集团等企业的扩产动作都很大。

来源：《第三代半导体调研白皮书》

相比国外，国内的扩产更为“凶猛”，今年以来国内冒出17个SiC器件项目，还有7个SiC衬底项目封顶或投产。