英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

　　近日，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN)陶瓷。该器件采用半桥配置，EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。

　　EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。

　　供货情况

　　EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70现在即可订购。如欲了解更多信息，敬请访问www.infineon.com/easy。

　　关于英飞凌

　　英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。

　　英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。更多信息，请访问www.infineon.com

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