“氮化物半导体新结构材料研究”将作为重点研发计划

氮化物是氮与电负性比它小的元素形成的二元化合物。由过渡元素和氮直接化合生成的氮化物又称金属型氮化物。它们属于 “间充化合物”，因氮原子占据着金属晶格中的间隙位置而得名。这种化合物在外观、硬度和导电性方面似金属，一般都是硬度大、熔点高、 化学性质稳定，并有导电性。钛、钒、锆、钽等的氮化物坚硬难熔，具有耐化学腐蚀、耐高温等特 点。例如，TiN熔点为2 930～2 950℃，是热和电的良导体，低温下有超导性，是制造喷气发动机的材料。ZrN在低温有超导性，现用作反应堆材料。

近日，由北京大学作为牵头单位，联合清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京邮电大学、西安电子科技大学、广东省半导体产业技术研究院、华中科技大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、湖南大学、厦门大学、中国科学院半导体研究所、北京科技大学、合肥彩虹蓝光科技有限公司等14家单位共同承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目启动会，在北京西郊宾馆会议中心举行。

科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅、“战略性先进电子材料”专项主管杨斌代表项目管理部门出席并指导项目启动的相关工作。出席项目启动会的专家包括南京大学郑有炓院士、北京大学甘子钊院士、基金委信息学部主任西安电子科技大学郝跃院士、基金委信息学部综合处潘庆处长、香港科技大学葛惟昆教授、苏州纳米所徐科研究员、全球能源互联网研究院邱宇峰教授、半导体所陈弘达研究员、李晋闽研究员、南京大学施毅教授、物理所韩秀峰研究员、北京大学沈波教授和王新强教授等。北京大学科研部副部长韦宇也应邀出席了启动会。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心唐宁副教授作为项目负责人介绍了项目总体情况以及项目的实施方案。项目各课题负责人清华大学郝智彪教授、苏州纳米所边历峰研究员和唐宁分别汇报了所负责课题的概况、实施方案及近期研究进展。

该项目围绕后摩尔时代信息领域对分立光电子和电子器件的需求，开展基于氮化物半导体新结构材料和新功能器件的研究，重点突破氮化物半导体的零维量子点、一维量子线和二维量子阱及其复合结构等低维量子结构的制备，深入研究低维量子结构中载流子的输运/复合/跃迁及其调控规律，研制出单光子源、紫外红外双色探测器、太赫兹发射及探测器件和自旋场效应晶体管器件，形成具有自主知识产权的核心技术，为第三代半导体材料和器件的持续发展奠定基础。

专家组针对项目的研究内容进行了研讨与分析，在对项目充分肯定的同时，也对项目的基础科学创新、关键考核指标以及团队合作、项目管理等方面提出了宝贵的意见和建议，并预祝项目组顺利完成项目任务，推动我国在宽禁带半导体材料和器件领域的进一步发展。