旺宏密谋大动作

旺宏董事长吴敏求表示，将持续强化3D NAND及高容量NOR Flash布局，看好5G基地台、医疗设备、车用电子等市场对高容量NOR Flash强劲需求，旺宏在2Gb及4Gb先进NOR Flash技术已抢得先机将在明年陆续推出，至于48层3D NAND明年初将可贡献营收，将朝向192层堆叠技术的目标冲刺。

吴敏求指出，新冠肺炎疫情蔓延全球，使远距商机及宅经济发酵，带动了伺服器、5G基地台、医疗设备等市场对于高容量NOR Flash的需求。旺宏透过长期的深耕与布局，在高容量及高品质的应用领域已取得领先的成果。

旺宏NOR Flash朝向45奈米制程推进，256Mb以上高容量NOR Flash营收比重逐年增加。吴敏求表示，旺宏看好车用、工业、医疗、5G等应用领域成长动能，其中旺宏投入2Gb及4Gb高容量Advanced NOR Flash技术研发，品质稳定性比现在好上十倍，容量更高但具成本竞争力，明年推出后在高容量及高品质NOR Flash市场将可唯我独尊。

在NAND Flash方面，旺宏19奈米SLC NAND产品良率极佳，新产品及新应用陆续进入验证阶段，至于3D NAND已完成第一阶段48层产品开发，量产后将可在明年初开始逐步贡献营收，后续将朝向96层及192层堆叠技术的目标冲刺。

旺宏已决定启动扩产计画，投入415亿元扩建Fab 5B厂的3D NAND产能，预计192层3D NAND在2023年进入量产。吴敏求表示，旺宏48层3D NAND及接下来的96层3D NAND会先在利基型应用上先推出，等产能及技术就绪再向192层发展。

吴敏求说明，旺宏的3D NAND投资以每四年为一个基期，现在扩大资本支出将Fab 5B厂务做好，晶圆厂基础设施的折旧年限是20～30年，所以每年折旧水准很低，旺宏在自有12吋厂中同步进行产品研发，新产品完成后再以此当成设备产能投资标准，产能建好立即满载投片，会把折旧跟产出时间衔接好，不是先巨额投资再等产品开发投产。