半导体分立器件年会：GaN HEMT 微波毫米波处于科研向工程化转化时期

新闻事件：

• 8月20日，2009中国半导体分立器件市场年会在深圳召开

事件影响：

• 年会对GaN HEMT 微波毫米波器件与电路的新进展情况进行了分析
• GaN HEMT 微波毫米波处于科研向工程化转化时期
• GaN HEMT 微波毫米波2010年将进入军民用系统中

8月20日，深圳，由中国半导体行业协会主办，分立器件分会、华强电子网等联合承办的“2009中国半导体分立器件市场年会”上，中国电子科技集团公司赵正平副总经理对GaN HEMT 微波毫米波器件与电路的新进展情况进行了分析。据赵总介绍，从上世纪九十年代中期诞生至今近，GaN HEMT在微波毫米波领域有了突破性进展，目前正处于从科研向工程化转化的关键时期。由于其高的击穿场强，高电子饱和速度，高的两维电子气浓度，SiC衬底的高热导率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。小栅宽GaN HEMT器件在4GHz下，功率密度达到40w/mm；8GHz30w/mm；18GHz；9.1w/mm；40GHz;10.5w/mm；80.5GHz；2.1w/mm。其高频特性：30nm栅长的GaN MIS-HFET的fT达到180 GHz；100nm栅长并具有背势垒结构的GaN HEMT的fmax达到230GHz。在通讯雷达应用研究中，大栅宽GaN HEMT器件以及由其构成的功率放大器的性能也取得突破。在L波段输出脉冲功率达500W，在S波段脉冲功率达800W，在C波段脉冲功率达220W；在X波段达250W，在Ku波段SSPA连续波功率达120W，在26GHz连续波输出功率达20W。在GaN HEMT可靠性稳定性研究中，攻克了由缺陷引起的漏电流崩塌效应，栅漏电引起的短期失效机理以及主要由栅下漏边缘高电场导致的逆压电效应引起的长期不稳定机理等难题，交流稳定性有很大提高。由加速寿命试验评估的寿命已大于106小时。预期2010年GaN HEMT将在军民用系统中获得应用。

在本次会议上，全国200多位行业主管部门领导、专家及业界代表汇聚深圳，紧紧围绕金融危机下中国半导体分立器件市场机遇及趋势，分立器件新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等领域的应用前景进行了深入探讨。工业和信息化部电子信息司丁文武副司长、中国半导体行业协会徐小田秘书长、中国半导体行业协会分立器件分会赵小宁秘书长、中国科学院许居衍院士等领导、专家出席了本次会议并发言。