元拓高科推出D-MODE氮化镓开关管，简化驱动，通用性好

氮化镓器件一直是大家竞争很激烈的一个战场。就像传统的MOS管一样，存在增强型的E-MODE，就一定存在耗尽型的D-MODE。通过结合D-MODE氮化镓功率器件和低压硅MOS，封装到一个器件内部，既可做到兼容传统硅器件的驱动，同时也具有氮化镓高频高性能的优势。

D-MODE氮化镓器件借助成熟的硅MOS控制器生态，使用灵活，并且成本上也具有优势，是传统MOS管的有力竞争对手。

充电头网最近获悉，元拓高科推出了一款650V耐压的D-MODE氮化镓开关管，采用DFN5*6封装，正是这方面集成和兼容的典范。

深圳市元拓高科半导体有限公司的YT65N15A D-MODE氮化镓特写，封装为常见的DFN5*6形式，和大多数的MOS管兼容。

元拓高科TY65N15A氮化镓开关管耐压为650V，导阻典型值为200mΩ，适配65W氮化镓充电器使用。栅极支持±20V耐压，避免了E-MODE氮化镓对栅极驱动电压的高要求，可适配绝大多数为硅器件设计的控制器，满足不同的电路设计。

氮化镓充电器在未来是一个潮流，谁把握了这个潮流，谁就拥有了未来。通过增强氮化镓器件驱动的兼容性，可以让更多的充电器都用上氮化镓技术，获得氮化镓低开关损耗，低导阻，高效率的优势，在降低充电器的发热，节能减排的同时，还能大大的提升用户的使用体验，提升产品口碑，增加用户对产品使用的黏性，也能让公司通过氮化镓，成功弯道超车。