非隔离型栅极驱动器与功率元器件

采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器

ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能，并且可以从结构上避免闩锁效应。

反向恢复时间更短的超级结MOSFET：PrestoMOSTM

PrestoMOSTM是一种超级结MOSFET，以往的超级结MOSFET的问题在于内部寄生二极管的反向恢复时间trr特性，而PrestoMOSTM系列产品不仅具有更短的反向恢复时间trr，而且损耗更低。

与IGBT相比，PrestoMOSTM在中低功率范围内的损耗电压很小，因而可以减少损耗（参见左下图）。另外，在电机驱动电路等电路中，还可以使用高速内部寄生二极管，而无需使用外置快速恢复二极管（FRD）来减少由普通MOSFET和IGBT的再生电流引起的换流损耗。与FRD相比，PrestoMOSTM的寄生二极管的VF更低，因此损耗也更低。

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