碳化硅芯片公司瞻芯电子完成过亿元融资

近日获悉，瞻芯电子已于今年完成过亿元人民币融资，投资方包括临芯投资、金浦投资以及几家重要产业协同方。

当日活动现场，瞻芯电子正式发布基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET，该产品的发布填补了国内空白，产品性能达到国际先进水平。

瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海自贸区临港新片区。公司齐聚海内外一支经验丰富的SiC工艺及器件设计、SiC MOSFET驱动芯片设计、电力电子系统应用、市场推广和产品运营等方面高素质核心团队。

自成立之日起，瞻芯电子便启动6英寸SiC MOSFET产品和工艺的研发工作。2018年5月，全部打通了SiC MOSFET的关键工艺并制造出第一片国产6英寸SiC MOSFET晶圆。经过三年的深度研发和极力攻关，坚守严谨高要求的测试标准，成为中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。2020年9月11日，瞻芯电子具有完全自主知识产权的碳化硅1200V 80mohm MOSFET产品通过JEDEC工规级认证，成为国内主流的工业级碳化硅MOSFET功率器件厂商。

CEO张永熙博士详细介绍了工艺开发和产品开发流程，严谨的可靠性验证步骤，并与国际知名厂商对比产品的关键指标以及可靠性数据，产品整体达到国际先进水平；COO陈俭介绍了贯彻“客户至上”理念的客户支持团队、覆盖研发到生产过程的严格质量管理体系、有求必应且“服务优质”的供应链，以及碳化硅产品的成本降低预测；市场副总曹峻介绍了产品支持的应用领域，包括风能和光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域，以及当前的市场销售情况。两家客户端企业也现场做了瞻芯电子SiC MOSFET产品使用的体验和分享报告。

据公司创始人张永熙博士介绍，在新能源汽车电驱动中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整车效率提高5%-10%；在光伏逆变器中使用SiC 功率器件，整机的能耗降低50%；电力电子行业专家周满枝介绍，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其开通损耗降低至三分之一，关断损耗降至二十分之一，这使得使用SiC功率器件的产品可以达到更高的功率密度，使用更简单的散热设计，整体效率更高。

SiC MOSFET应用于新能源汽车、光伏逆变，风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合，其市场前景广阔。预计到2027年，市场销售额将达到100亿美元，SiC功率器件是面向未来更环保，更节能的电能转换核心器件，在整个系统中处于关键部位。