英特尔 Intel7、Intel 4工艺路线详解，是7nm、4nm吗？

Intel新任CEO基尔辛格掌舵以来，重启技术路线，开始了IDM2.0等一系列战略。今天更是宣布了让人迷茫的全新工艺路线图：Intel7、Intel4，他们到底是多少制程呢？发布时间将在什么时候？

Intel今天宣布了全新的工艺路线图，一个最核心的变化就是改名：10nmEnhancedSuperFin改名为Intel7，7nm改名为Intel4，未来还有Intel3，以及全新晶体管架构的Intel20A、Intel18A。Intel表示，此前的工艺节点命名规则始于1997年，都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm)，但是近些年来，工艺命名和栅极宽度已经不匹配，因此Intel启用了新的命名方式。

Intel7工艺号称能耗比相对于10nmSuperFin提升大约10-15％，今年底的AlderLake12代酷睿首发，明年第一季度还有SapphireRapids四代可扩展至强。

Intel4工艺全面引入EUV极紫外光刻，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。

首发消费级产品是MeteorLake，已在今年第二季度完成计算单元的六篇，数据中心产品则是GraniteRapids。

MeteorLake预计将隶属于14代酷睿家族，它之前还有一代RaptorLake，后者也是Intel7工艺。

今天的会议上，Intel也首次展示了MeteorLake的测试晶圆，除了新工艺还有Foveros3D立体封装。

这一代，也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片，引入不同工艺、不同IP的模块，借助新的封装技术，整合在一起。

再往后，Intel3工艺进一步优化FinFET、提升EUV，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。

它也是最后一代FinFET晶体管，2011年的22nm二代酷睿IvyBridge第一次引入。

之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel20A，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。2024年投产。

接下来是Intel18A，预计2025年初投产，继续强化RibbonFET，还有下一代高NAEUV光刻，与ASML合作。

RibbonFET晶体管

PowerVia

传统晶圆(左)、Powervia晶圆(右)供电和信号走线对比：图片上方对应晶圆前侧

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