英特尔制程工艺解析

以下是英特尔制程技术路线图、实现每个节点的创新技术以及新节点命名的详细信息：

● Intel 7（此前称之为10纳米Enhanced SuperFin）

通过FinFET晶体管优化，每瓦性能①比英特尔10纳米SuperFin提升约10% - 15%，优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。Intel 7将在这些产品中亮相：于2021年推出的面向客户端的Alder Lake，以及预计将于2022年第一季度投产的面向数据中心的Sapphire Rapids。

● Intel 4（此前称之为Intel 7纳米）

与Intel 7相比，Intel 4的每瓦性能①提高了约20% ，它是首个完全采用EUV光刻技术的英特尔FinFET节点，EUV采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将13.5纳米波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前使用波长为193纳米的光源的技术，这是巨大的进步。Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

● Intel 3

Intel 3将继续获益于FinFET，较之Intel 4，Intel 3将在每瓦性能①上实现约18%的提升。这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。Intel 3实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了EUV的使用。Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品。

● Intel 20A

PowerVia和RibbonFET这两项突破性技术开启了埃米时代。PowerVia是英特尔独有、业界首个背面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。RibbonFET是英特尔研发的Gate All Around晶体管，是公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。Intel 20A预计将在2024年推出。

①基于内部估计；结果可能会有变化。

②英特尔的节点编号不代表晶体管或结构上任何实际的物理属性的尺寸。它们也无法精确确定性能、功率或面积的具体改进水平，从上一个节点编号到下一个节点编号的减少幅度不一定与一个或多个参数的改进水平成比例。过去，英特尔新的节点命名中的数字仅基于面积／密度的改进；现在，节点编号通常反映了对关键参数改进的整体评估，并且可能基于性能、功耗、面积或其他重要因素中的一个或多个参数的改进，而不一定仅仅基于面积/密度的改进。