有消息，第三代半导体产业纳入“十四五”规划，在2021到2025年的五年之内，举全国之力，实现产业独立自主，不再受制于人。
8月，中芯国际创始人张汝京曾公开表示：
第三代半导体目前已成为新主流
第三代半导体的发展遵循的不是摩尔定律，而是后摩尔定律，“它的线宽不是很小的，设备也不是特别的贵，但是它的材料不容易做，设计上要有优势。”
中国在半导体一代（硅、锗元素）和二代半导体（砷化镓、锑化铟等）都比较落后。
第三代半导体材料是以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带为代表。
中国在三代半导体氮化镓（GaN）领域，起步早。
1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓。
2020年5月11日，科技日报公布了第二届全国创新争先奖牌拟表彰名单，共有10个国内各领域顶尖团队上榜。
ON.1 三代半导体--氮化镓（GaN）创新团队
表明中国第三大半导体氮化镓（GaN）材料的研究，现在是领先全球的。
三代半导体氮化镓（GaN）性能非常优异，比二代半导体各方面的性能都高出数倍。
例如，1英寸氮化镓晶片可刻成1亿万粒LED，亮度高，低热性，不发热。
氮化镓（GaN）主要用于：
电力电子方向：智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子；
光电子方向：LED、激光器、光电探测器。
氮化镓不存在于自然界中，只能通过人工合成，研发及商用成本很高，一片五厘米大小的氮化镓片，目前售价超过2万元。
中国的三代半导体现在的主要用途是：
军工雷达系统
雷达系统是各类弹道导弹攻防的基础。
2020年2月，中国的052D驱逐舰，开到了夏威夷附近海域，自由航行，演练海上补给。
中国的055大型驱逐舰和052D驱逐舰，在诸多性能上，已经超越美国，成为反导利器和实实在在的航母杀手。
中国新型驱逐舰能够形成强大威慑力，并不是简单的吨位和配备的导弹系统，最重要的是以三代半导体氮化镓为材料基础的第五代数字阵列雷达（有源相控阵雷达的顶级水平），领先美国数年（尽管美国说自己已经赶上了）。
第五代数字阵列雷达能240公里外，发现网球一样大小雷达反射截面的隐形战机F22，让对方无法隐形。
在复杂作战环境下，有源相控阵雷达的抗干扰能力和损管能力要优于无源相控阵雷达。
这就是为什么中国的大驱可以单独去夏威夷附近的原因，如果再来一次补给，可轻松抵达美国西海岸。
美国当然也可以升级自己的舰载雷达系统等，但这需要的不仅仅是一个雷达的问题，是一系列海军战略规划和巨大的军事支出的问题，是整个从军事战略，到舰艇升级换代。
仅仅一个氮化镓产业化，美国目前离中国这样的规模市场，还差得有点远。
镓这个元素属于稀土范畴，美国在稀土领域对中国的依赖程度，就不用多说了，大家可以自己去查一下。
最近，美议员还在鼓动建立本土稀土产业“摆脱对华依赖”。
8月，我国第25艘052D型导弹驱逐舰和第8艘055型驱逐舰同日正式下水，我国的神盾舰数量达到了41艘，其中有39艘导弹驱逐舰是有源相控阵神盾舰，在规模上属于全球第一。
美国海军拥有74艘伯克级驱逐舰，但是其宙斯盾作战系统中的无源相控阵雷达，在探测距离和探测精度上与中国有源相控阵雷达还有一定的差距。
最新的伯克-3型驱逐舰上，美国海军才开始安装有源相控阵雷达，不过还处于建造阶段。
5G、
物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的到来，对半导体器件的可靠性与性能指标的要求也更加严苛，需求量日益增长。
国际上第三代半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）开始逐渐受到市场的重视，已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。
第三代半导体材料产业链包括：上游衬底、中游外延片、下游器件、模组制造。
氮化镓（GaN）方面：
国内企业已经可以小批量生产2英寸衬底，具备4英寸衬底生产能力，并开发出6英寸衬底样品。
苏州纳米所的苏州纳维科技公司、北京大学的东莞中镓半导体科技公司（均未上市），实现了材料产业化。
三安光电（600703）的子公司三安集成，主营LED外延片、通讯元器件、芯片、化合物半导体代工。
闻泰科技（600745），是氮化镓效应晶体管(GanFET)，主营手机ODM原厂委托设计。
耐威科技(300456)，是氮化镓（GaN）材料的生长与器件的设计，已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，主营电子传感器。
海陆重工（002255），子公司江苏能华微电子科技发展有限公司，专业研发、生产氮化镓( GaN)复合半导体高性能晶圆和成功率器件。
海特高新（002023），子公司海威华芯主营氮化镓功率器件代工，和三安集成业务高度重叠。
碳化硅（SiC）方面：
硅衬底的化合物材料，基本能够满足在5G/
IoT/AI的高频、高压、高功率技术要求，目前在经济性方面有优势。
军工、安防、航天等少部分需要超高规格的应用领域，才需采用化合物单晶材料。
化合物单晶材料以美欧厂商英飞凌、科锐和罗姆半导体，占据90%的市场份额。
国际先进技术已将碳化硅（SiC）单晶衬底从4英寸推广到8英寸，预期成本每年能下降10-15%。
国内也不弱，形成相对完整的产业链体系，碳化硅（SiC）衬底，4英寸实现了量产，已完成6英寸衬底的研发。
衬底材料方面有山东天岳（华为占股10%）、天科合达、河北同光。
中游外延片（EPI硅片）有东莞天域半导体、厦门瀚天天成。
器件和模组有斯达半导（603290）、泰科天润、中车时代电气等
国内企业已开发出1700V/1200A的混合模块、4500V/50A等大容量全SiC功率模块，在SiC-SBD形成销售收入。
看上去很美的一项高新科技，真正弄明白很难，控制风险牢记心头。
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