院士谈集成电路：发展节奏放缓 “中国芯”迎发展机遇

中新网杭州7月17日电(黄龄亿)16日，浙江省集成电路产业技术联盟成立大会暨产业链协同创新论坛在浙江杭州举行。会上，多位集成电路领域专家提出，后摩尔时代放慢的发展节奏，为“中国芯”带来变道超车发展机遇，硅基光电子、半导体异质集成等将成为未来集成电路的重要发展方向。

中国工程院院士、微电子工艺技术专家吴汉明表示，现在已进入后摩尔时代，其最大特征是每年芯片性能的提升呈现出发展趋缓的态势。“在2002年前，每年芯片性能的提升为52%，到后面几年变为23%，再到2018年的3.5%，由此可见发展放缓是一种趋势。在该条件下，对于始终在‘追赶’的中国集成电路而言，无疑是一个机会。”

值此机遇，吴汉明认为有必要将后摩尔时代的特点进行梳理，其中包括技术方向尚不明确、业务产业化、市场碎片化、研发经费较低等。“在整体发展中，我觉得对于我们国家而言，最大的挑战还是芯片制造工艺，交叉学科特点也在制造范畴里体现得最为明显。”

“5月6日，IBM宣布了特征线宽为两个纳米的芯片，可见集成电路技术在不断发展，这也使得集成电路的竞争成为一个非常重要的领域。”在中国科学院院士、半导体材料学家杨德仁看来，国际集成电路中长期发展将有多种挑战，包括特征尺寸的物理限制；电互连信号延迟，宽带受限；功耗密度的不断上升。

“把硅集成电路和光电子集成起来，也就是所谓的硅基光电子，这将成为集成电路发展的一个重要方向。”杨德仁介绍，硅基光电子在其性能上有一系列的优点，如带宽较宽、功耗较小、基本没有电磁干扰、体积小、接口密度大等。“也正因为这些优点，会使得硅基光电子在今后的通讯数据中心、高性能计算、人工智能等方面具有广泛的用途。”

杨德仁称，近年来，从材料的衬底外延到细节的加工，再到设备的应用，硅基光电子已经初步形成了一个产业链。“国际上也预测，它的销售在不断增加，到2025年能达到16亿美元以上。且其发展速度仍在加快。”