前段时间，行业人士告诉“三代半风向”，无锡利普思半导体有限公司正在融资建设SiC模块封装线。7月17日，这条封装线项目真的就传来开工消息。
据《江南晚报》消息，当天，无锡滨湖区举行2021年三季度重大项目现场推进会，共有19个项目参与开工仪式，其中就包括利普思的“第三代功率半导体封装线”项目。
据了解，利普思SiC模块正在进行汽车认证测试，今年将获批量订单，而且相比外资产品也具备性能优势，国产化速度将会加快。
“无锡滨湖发布”透露，该项目总投资2亿元，建设地点在蠡园开发区创意园一期，建设周期为2021—2024年。
该项目计划引进2条SiC模块封装生产线，包含全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、测试机等进口设备，达产后可形成年产模块产能50万台的生产能力，预计实现年销售10亿元、年税收1亿元。
据介绍，利普思成立于2019年11月，主要产品包括IGBT模块和SiC模块。2020年，利普思已与一些汽车、光伏企业签订意向订单。
利普思联合创始人丁烜明表示，目前，利普思已与部分整车厂在合作开发下一代主驱动控制器用的高功率密度SiC模块；商用车客户也在做最后的碳化硅模块可靠性测试，预计今年可获得批量订单。同时，利普思与日本富士电子的20台样机也在测试中，未来也将形成一定的批量。“2021年是利普思实现“从测试到量产”的关键一年。”
在碳化硅模块领域，利普思目前已拥有专利14项，其中发明专利8项。
据介绍，利普思创始人梁小广曾在三菱电机和采埃孚从事SiC功率器件和SiC模块封装研究。利普思联合创始人丁烜明曾任上海电驱动事业部总监，熟悉功率模块市场和应用，以及OEM的供应链配套和质量体系要求。
与此同时，2020年1月，利普思还在日本熊谷成立了全资研发中心，拥有10余位日本全职半导体技术专家，平均半导体研发从业时间超过20年。
早在2020年4月，利普思就完成了首批直接水冷SiC模块的交付。该系列SiC模块兼容HPDrive封装，产品覆盖电流400A～800A，是当时市场上最大电流等级的SiC模块。
一位测试商透露，“利普思的SiC器件可靠性确实很好，这个我们测试过，可靠性实验室我会给他配置。”
最近“创客无锡”报道了利普思，其中提到：“与外资品牌产品相比，利普思碳化硅模块的寄生电感更低、峰值相电流更大、可靠性更高、生产工艺更简单。”
而这主要得益于多项技术创新：
技术创新一：高散热性能树脂材料的绝缘基板。利普思采用新的绝缘材料，可解决多种不同材料焊接时引起的热应力变形，提高可靠性，在同等功率循环试验条件下，相比市场上其他产品，寿命更长；另外还可降低热阻，进一步提升模块的电流能力，比如在热阻对比上，利普思的单面塑封模块性能优于很多双面水冷模块。
技术创新二：芯片表面连接Arc Bonding技术。Arc Bonding技术可以缓解芯片表面的应力，提高功率循环寿命；电气连接部分使用铜片，降低导通电阻和寄生电感。
技术创新三：单面塑封。芯片并联数量可选，产品规格可多样化，一个碳化硅模块可以封装多达20颗碳化硅芯片；采用新型注塑模具设计专利技术，可靠性更高、生产更简单、产品一致性更好。
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