台积电、三星的3nm工艺真的有那么强吗？

早在2018年的时候,高通就有过一段隐晦的暗示,意思是别太相信芯片代工厂的芯片工艺,他们现喜欢将数字弄得小一点,台积电、三星都有类似的问题。

而在2019年的时候,台积电也承认了这个问题,当时的技术研究副总经理黄汉森表示,现在的XXnm其实与晶体管栅极已经不是绝对相关了,工艺节点已经变成了一种营销游戏。

但实话实说,虽然台积电算是承认了所谓的工艺节点有问题,但大家依然还是以工艺节点来评价各代工厂的芯片技术。

比如2020年台积电、三星达到了5nm,而英特尔还在10nm,大家认为英特尔肯定落后于三星、台积电。而2022年三星、台积电会进入3nm,而英特尔可能进入7nm,明显英特尔落后2代了。

但台积电、三星的3nm又真正的是3nm么?英特尔的7nm又是真正的7nm么,这可就真的是一笔糊涂账了。

不过好在外界对于芯片工艺,还有另外的一个评价方法,那就是晶体管密度。我们知道芯片是由晶体管组成的,工艺的提升,是以缩小晶体管的沟道长度为目标的,工艺越先进,沟道长度越短,晶体管密度就越大。

所以一直以来,在这些芯片制造厂对外宣称的工艺不可信时,一些权威机构,就喜欢用晶体管密度来看大家的技术差异性,密度相同,工艺就基本相同。

近日Digitimes分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题,对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况,我们发现或许只有intel是清白的,其它几家的工艺真的水分太大了。

为何这么说?如上图所示,如果从晶体管密度来看,intel的10nm工艺,晶体管密度达到了1．06亿个每平方毫米,比三星、台积电的7nm还要强。

而intel的7nm,晶体管密度会达到1．8亿个每平方毫米,比三星的3nm(1．7亿个)、台积电的5nm(1．73亿个)要强。

而intel的5nm,晶体管密度会达到3亿个每平方毫米,比台积电的3nm(2．9亿个)要强,直追IBM之前公布的2nm工艺(3．33亿个)。

而intel的3nm,晶体管密度会达到5．2亿个每平方毫米,比台积电公布的2nm工艺(4．9亿个)要强。

关于这个晶体管密度,我们还可以反向验证一下,麒麟9000是153亿个晶体管,其面积不到100平方毫米,算下来大约是1．7亿个晶体管每平方毫米,是与台积电的5nm工艺(1．73亿)基本吻合的。

可以说,大家真也不必太过于关注什么5nm、3nm这个工艺了,真的是水分较大,各企业横向之间不太好比较了,比如intel的10nm就一定差于三星的7nm?真不好说。只能同一企业纵向比较,比如台积电的5nm肯定强于7nm,台积电的3nm肯定强于5nm。

但不管怎么样,台积电、三星们的这个营销游戏,真的太成功了,至少一般的网友已经成功的被他们洗脸了,早就相信3nm就是3nm了。