SK海力士使用EUV大规模生产1anm DRAM

内存厂商的新战斗正在悄悄打响，现在SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。

SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。

在这之前，三星和美光也都表示，将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后，不过美光时间上要更晚一些，其要在2024年生产新的EUV内存芯片。

去年SK海力士宣布斥资90亿美元（约合600亿元）收购Intel闪存部门，合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头，六大原厂将减少为五家。