量子点LED器件的发光效率瓶颈获突破，有望用于Mini/Micro LED
来源:中国半导体行业协会发布时间:2021-04-2023浏览
询问 AI近日，国际著名期刊《ACSNano》以封面形式发表华南理工大学机械与汽车工程学院李宗涛教授、李家声博士后等人的最新研究成果“Toward200LumensperWattofQuantum-DotWhite-Light-EmittingDiodesbyReducingReabsorptionLoss”。
量子点色转换技术是Mini/MicroLED、OLED以及LCD宽色域显示的共性关键技术，在超清显示、虚拟显示等新兴领域极具应用潜力。目前，硒化镉、钙钛矿等量子点的光致发光效率已超过85%，高于传统稀土荧光粉材料，然而封装制成LED器件的发光效率普遍在50-130lm/W（理论效率＞200lm/W），上述矛盾已困扰学界与行业多年，低下的发光效率严重制约量子点LED显示技术的实际应用。
该论文提出直方通孔复合量子点色转换结构及其强化出光机制，利用湿法机械搅拌把量子点高效组装于粒径匹配的直方通孔结构，通孔结构被低折射率硅树脂填充，所形成折射率差异可抑制荧光光子在通孔内部硅树脂基材的传播，显著减少重吸收损耗。最终成功突破了量子点LED器件的发光效率瓶颈，获得超过200lm/W的同类器件公开报道最高效率（经CNAS认证第三方机构检测）。
目前，李宗涛教授团队正联合TCL、国星光电等企业，加快推动该技术在Mini/MicroLED等新型显示器件的应用。
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