揭秘第三代半导体全球晶圆代工格局
来源:中国半导体行业协会发布时间:2021-06-21
询问 AI前言：当我们谈论到硅半导体垂直分工的商业模式时，无疑是非常成功的，台积电凭借纯晶圆代工业务已成为全球第三大半导体厂商。而对于第三代半导体SiC/GaN，目前仍以IDM模式占据主导地位（特别是SiC），但随着材料技术不断成熟及市场需求打开，垂直分工模式正在逐渐兴起。
其中，功率SiC/GaN代工目前仍处于起步阶段，但着眼于未来功率半导体庞大市场需求，近来越来越多新玩家加入，包括传统硅晶圆Foundry台积电/世界先进等。而在射频GaN代工领域，此前有GaAs模式深厚积累，故整体发展较快且相对成熟，且越来越多的新兴射频Fabless公司崛起同样新增了代工需求。
首先来谈第三代半导体代工与CMOS代工模式的差异。
CMOS代工：Foundry开发以线宽为基础的工艺流程，客户围绕该基准流程设计芯片。
SiC/GaN代工：Fabless根据自身器件要求开发专有工艺，然后转移到代工厂生产。没有相对标准的工艺流程，考验的是Foundry的特色开发能力、技术经验及客制化服务等综合能力。
另外，现阶段越来越多的SiC/GaNFoundry陆续向上延伸，涉足外延片代工。
SiC代工
对于Si-IGBT/MOSFET等非常成熟的功率分立器件，其主要货源仍来自IDM厂。而SiC器件工艺成熟度远远不及Si基器件，故代工模式发展阻力更大。
目前全球具备规模化量产能力的SiC晶圆代工厂主要有德国X-Fab及台湾汉磊科等。
X-Fab是全球第一家提供6
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