下一代EUV光刻机延误？日本厂商紧急驰援
来源:中国半导体行业协会发布时间:2021-06-11
询问 AI在半导体行业观察日前的文章《EUV光刻机路线图》中，我们谈到了ASML在下一代的HighNAEUV光刻机上面面临可能的延误问题。而随即，东京电子发布了一个新闻稿，他们表示，公司将于将与imec-ASML合作，携手推动HighNAEUV光刻机的发展。
东京电子表示，公司将向imec-ASMLHighNAEUV联合研究实验室（highNAEUVresearchlaboratory）提供其领先的涂布机/显影剂（Coater/Developer），该设备将与ASML的EXE:5000集成，这是ASML的下一代高数值孔径(NA：numericalaperture)EUV光刻系统，拥有0.55的NA。按照原计划，这个新光刻机将于2023年投入使用。而通过与imec和ASML合作，TEL将继续追求技术开发以满足其客户不断扩展的需求。
报道进一步指出，与传统的EUV光刻相比，HighNAEUV光刻有望提供更先进的图案缩放解决方案。被引入联合研究实验室的涂布机/显影剂将具有先进的功能，它们不仅能与广泛使用的化学放大抗蚀剂（chemicallyamplifiedresists）和底层（underlayers）兼容，而且还与旋涂含金属抗蚀剂兼容（spin-onmetal-containingresists）。
报道表示，旋涂含金属抗蚀剂已表现出高分辨率和高抗蚀刻性，有望实现更精细的图案化。然而，含金属抗蚀剂（metal-containingresists）还需要精密的图案尺寸控制以及硅片背面和斜面的金属污染控制。
为了应对这些挑战，安装在联合研究实验室的涂布机/显影剂配备了能够处理含金属抗蚀剂的前沿工艺模块。
结合新的工艺模块，TELCoater/Developer的单个单元可以在线处理多种材料，包括化学放大抗蚀剂、含金属抗蚀剂和底层。这将实现灵活的晶圆厂运营，同时实现更高的生产力和高可用性，这是涂布机/显影剂的优势之一。
利用其产品跨越多个相邻工艺的广度，TEL正在与抗蚀剂材料供应商建立合作伙伴关系，以提供涵盖蚀刻工艺以及光刻工艺的涂布机/显影剂的全面图案化解决方案。
TEL公司董事、高级副总裁兼SPE业务部总经理YoshinobuMitano表示：“TEL很荣幸在联合研究实验室与imec和ASML合作，以进一步了解和解决HighNAEUV在图案化方面面临的挑战。通过利用我们在EUV光刻工艺技术的大批量制造方面的经验，我们打算及时向客户的晶圆厂提供高NAEUV工艺解决方案。”
TEL副总裁兼CTSPSBU总经理KeiichiAkiyama评论说：“作为目前在EUV光刻在线Coater/Developer中占有100%市场份额的制造商，我们期待与联联合研究实验室合作，实现最用于下一代高数值孔径EUV光刻的先进涂布机/显影剂。我们将与合作伙伴合作，引入和验证尖端方法和技术，以应对客户的挑战。”
imec首席运营官兼研发执行副总裁RudiCartuyvels表示：“超过25年以来，imec和TEL一直是战略合作伙伴，开发创新解决方案以推进半导体规模化。imec期待继续与TEL合作，以实现半导体缩放路线图的下一步，即HighNA图案化。”
imec高级图案化、工艺和材料副总裁StevenScheer表示：“TEL和imec之间的合作是识别和消除使用旋涂抗蚀剂的EUV图案化中关键缺陷的关键，有助于大量引入EUV制造业。对于highNAEUV图案化，使用更薄的抗蚀剂膜和更小的特征尺寸，减少缺陷将更加重要。因此，imec很高兴与Imec-ASML联合研究实验室中的TEL和抗蚀剂材料供应商合作，以加速在行业中引入HighNAEUV。”
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