三星3nm芯片成功流片，采用GAA架构，性能优于台积电

报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构，在此情况下，三星需要新的设计和认证工具，因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

报导指出，所谓的 GAA (Gate-all-around ) 架构，是一个周边环绕着 Gate 的 FinFET 架构。依照专家的观点，GAA 架构的晶体管能够提供比 FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力得以强化，藉此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。相较传统 FinFET 的沟道仅 3 面被栅极包覆，GAA 若以奈米线沟道设计为例，沟道的整个外轮廓都被栅极完全包裹住，这就代表着栅极对沟道的控制性能就更好。

据了解，3nm GAA 制程技术有两种架构分类，也就是 3GAAE 和 3GAAP。这是两款以奈米片的结构设计，在鳍中具有多个横向带状线。这种奈米片设计已被研究机构 IMEC 作为 FinFET 架构后续的产品进行了大量研究，并由 IBM 与三星和格罗方德合作进行了技术发展。

三星指出，这种技术具被高度可制造性。原因是它利用了该公司现有的约 90% 的 FinFET 制造技术予设备，而只需要少量修改过的光罩即可。另外，该制程技术具有出色的栅极可控性，这比三星原本采用的 FinFET 技术高 31%，且因为奈米片信道宽度可通过直接图像化来改变，这就给设计提供了灵活性。

时间方面，既然已经流片，那么距离三星3nm大规模量产也不远了，而台积电方面，则是定于今年风险试产3nm，2022年投入大规模量产。