自从几年前推出14nm技术以来，好久没有关于英特尔新一点节点技术的进展，有的只是在14nm上的几个功能和性能升级。但相反，在竞争对手上却看到了更多10nm和7nm的进展，甚至市面上已经见到了几款10nm的
芯片。很多人都在讨论
intel的10nm跳票信息，甚至认为英特尔在制程技术上已经落后竞争对手。每次被问到相关问题的时候，英特尔都会三缄其口。
今日，英特尔终于带来了最新的10nm技术。
英特尔公司执行副总裁，制造、运营与销售集团总裁Stacy J·Smith在演讲台上正式展出了10nm技术的硅晶圆。
根据英特尔高级院士，技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark T·Bohr介绍，由于应用了新的超微缩技术。新的10nm技术每平方毫米集成的集体管超过1亿个。相比于上一代14nm的3750万的数字，有了很大的提升。
正如前面所说，这都是基于其新一代超微缩的技术实现的。
根据Mark介绍，英特尔的10nm技术采用了第三代的FinFET技术，对比于前一代的产品。10nm的鳍片间距从42nm降低到34nm，是前一代的0.81倍；最小金属间距也从52nm降到36nm，较之前代下降了差不多50%；单元高度也从399nm降为272nm；栅极间距也从70nm降到54nm。另外虚拟栅极从两个变成一个，栅极触点从标准变成COAG。这几点缔造了10nm芯片的高级性能。
看一下第三代FinFET的提升
还有活跃栅极上的触点改变带来的变化
晶体管的性能和功耗也有了很大的提升。
英特尔还将其10nm与竞争对手的技术进行了深刻的对比。英特尔表示，和以往一样，英特尔新技术领先竞争对手一代，也就是三年。
例如在性能和功耗方面，英特尔的有功功率较之友商有20%和30%的领先。
在逻辑晶体管密度方面，英特尔较之同样领先于竞争对手。
SRAM的提升，也对产品的微缩有效提高。
在各项数据对比方面，Intel也基本吊打竞争对手。
另外，据英特尔方面介绍，其10nm可以做到7.6mm2，密度和性能得到了提升。
Mark接着指出，英特尔方面认为，未来的制程升级周期会变长，英特尔会在每一个节点上做很多代的升级，满足多方面的需求，英特尔也会成为持续推进，研究新技术，成为摩尔定律的坚定推动者。
英特尔表示，10nm技术将会在今年下半年正式量产。
