安森美半导体将在SAECCE 2018展示创新的方案

方案解决具挑战性的汽车操作环境，提供紧凑、高能效的使能技术配合下一代汽车的发展

2018年11月2日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将于11月6至8日在中国上海举行的中国汽车工程学会年会暨展览会（SAECCE）展示创新的汽车方案支持下一代汽车的开发。

随着汽车领域越来越多地采用混合动力电动汽车(HEV)、电动汽车(EV)和先进驾驶辅助系统(ADAS)，最终迈向全自动驾驶，安森美半导体在图像感知和汽车功能电子化等领域的集成方案走在前沿。

安森美半导体将展示解决关键市场趋势的汽车方案，使观众了解这些应用方案的可能性。这包括用于ADAS驾驶员监控系统的完整方案、用于汽车功能电子化的车载充电器、电子压缩机、高压牵引逆变器和电源模块，以及智能前大灯方案。

驾驶员监控系统是一套完整的符合车规的方案，含AR 0144图像传感器、开关电源、红外LED驱动器和低压降(LDO)稳压器。

安森美半导体的CMOS传感器采用领先业界的工艺和技术设计，提供最佳的图像清晰度用于典型具有挑战性的汽车应用环境，包括单一场景中的极亮和极暗区，以及抑制LED闪烁的影响。

安森美半导体也将展示独特的智能前大灯组合方案集成AR0132 CMOS图像传感器和NCV78xxx LED驱动器，AR0132用于监视正在走近的汽车及其位置，NCV78xxx选择性地将LED调暗以防止使迎面而来的驾驶员眩目。

与汽车功能电子化有关的演示包括安森美半导体即将推出的高压(HV)牵引逆变模块，这提供混合动力或全电动逆变动力系统方案用于电动汽车(EV)。演示中还包括先进的汽车电源模块(APM)。可扩展的产品设计具有极佳的热特性和高功率密度，有助于减少功能电子化方案的尺寸、重量和成本。安森美半导体还将以一个8英寸的晶圆演示展示最新的场截止沟槽IGBT晶圆技术。汽车级牵引IGBT结合快速恢复二极管(FRD)，提供裸芯方案用于牵引逆变器。

请于11月6至8日在中国上海的SAECCE莅临安森美半导体展台(展位号：C12)。安森美半导体的专家将在展位解答关于公司高能效创新的汽车方案的问题。