总投资30亿，IGBT模块设计封测项目落户无锡

1 已与中芯国际达成合作,总投资30亿元的半导体项目落户无锡

近日，无锡锡山乡贤发展大会举行。大会上，总投资357.5亿元的24个项目集中签约，涉及集成电路、生物医药、高端装备、电子信息等产业领域，包括IGBT模块设计封测项目、半导体封测设备项目等。

来源：锡山经济技术开发区

据微信号“锡山经济技术开发区”报道，IGBT模块设计封测项目总投资30亿元，投资方是国内最头部IGBT企业，自主研发的工业级IGBT大规模量产，车规级IGBT成功流片并交付测试，品质与英飞凌相当；立足于高端Cool MOS、硅基GaN器件等技术研发。

据悉，该项目一期需用地60亩，用于建设功率半导体封装与设备产线，二期需用地40亩，用于后续8寸产线建设，项目总投资30亿元，估值20亿元，已与大洋电机、中芯国际达成战略合作，五年开票超21亿元，计划2022年启动IPO。

而伊瑟电子半导体封测设备项目注册资本12000万元，总投资估值6亿元，伊瑟电子在苏州、深圳以及台湾均设有工厂，此次拟将项目总部设在无锡，团队源自台湾知名大学的博士、硕士，项目聚焦功率半导体设备及CIS设备，估值6亿元，三年开票超6亿元，计划2024年启动科创板。

据悉，伊瑟电子已与富士通、士兰微、英飞凌等达成战略合作，客户包括华润、华天科技、中天科技等。