又一企业量产8寸SiC，全球已有7家

最近，意法半导体在一次会议发布了重磅消息——他们最近已经量产了8英寸SiC晶圆。

6月3日，意法半导体CEO Jean-Marc Chery与亚洲媒体分享了未来的发展策略时表示，2020年意法半导体的总营收达到了102亿美元（约660亿人民币）。同时Jean-Marc专门介绍了SiC的最近进展。

在晶圆及外延方面，意法半导体除了与CREE和SiCrystal签署长期供应外，还通过收购Norstel来自主生产6英寸晶圆。其中比较重磅的消息是，Norstel最近已经成功交付了首个8英寸SiC晶圆。

在技术进展方面，据介绍，目前意法半导体正在采用第三代SiC平面制造工艺，并且在积极开发第四代工艺中。

另外，Soitec最近也宣布将要建设新工厂，以生产8英寸SiC产品。

6 月 10 日，Soitec公布了他们2020年的业绩，2020财年（截至2021年3月）营收为6.68亿美元（约43.2亿人民币）。Soitec预计五年内营收将在增长两倍，2025/2026财年的销售额将达到20亿美元（约129亿人民币）。

为实现这一增长，Soitec计划在五年内投资11亿欧元（87.57亿人民币），将其年产能翻一番，达到400万片晶圆。同时，还将新建2家工厂，其中一家工厂将生产6英寸和8英寸SiC晶圆，该厂将在2022年3月前开始建设，以便在2023/2024财年投入使用。

据“三代半风向”了解，2015年，Cree和Rohm都展示了8英寸SIC衬底。2015年7月，II-VI也展示了8英寸导电型SiC衬底，2019年又推出了半绝缘8英寸SiC衬底。2020年9月24日，英飞凌表示200mmSiC晶圆生产线已经建成。

在量产时间表方面，2019年5月，Cree宣布投入10亿美元（约64.6亿人民币）建设新工厂，将于2024年量产8英寸碳化硅等产品。

今年4月，II-VI表示，未来5年内，将SiC衬底的生产能力提高5至10倍，其中包括量产直径200 mm（8英寸）的衬底。

英飞凌预计2023年左右开始量产8英寸衬底，以2025年为目标，量产8英寸SiC衬底器件。

此外，中国企业也掌握了相关技术。2020年10月，据山西日报报道，山西烁科晶体公司完全掌握4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺，同时8英寸衬底片已经研发成功，即将量产。