东芝推出新一代Superjunction功率MOSFET

东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出新一代650V Superjunction功率MOSFET – TK040N65Z其用于资料中心的伺服器电源、太阳能(PV)功率调节器、不断电系统(UPS)及其他工业应用。此IC已开始量产出货。

TK040N65Z为东芝DTMOS VI系列首款650V元件，支援57A连续汲极电流(ID)及228A脉冲电流(IDP)。提供0.04Ω（0.033Ω典型值）的超低汲源极导通电阻RDS(ON)，以减少电源应用的损耗。更低的电容设计，使其IC成为现代高速电源应用首选元件。

改善并压低主要性能系数- RDS(ON) x Qgd，电源效率随之提高。相较于上一代DTMOS IV-H产品，TK040N65Z在此系数降低了40%，表示在2.5kW PFC电路效率表现上将会显著地上升0.36%。

新产品为工业标准TO-247封装，不论在传统设计或是新应用上皆便于使用。