英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用于 PFC 与返驰拓扑

英飞凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品，符合最为严格的设计要求：适用于照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器，以及工业 SMPS 应用。此全新半导体解决方案提供优异的散热与效率表现，可降低物料清单及整体生产成本。

950 V CoolMOS P7 提供极佳的 DPAK RDS(on)，有助于更高密度的设计。此外，优异的 VGS(th) 与最低点 VGS(th)容许值，让 MOSFET的驱动与设计更为容易。类似于英飞凌领先业界的 P7 系列的其他产品，此装置也整合了赞纳二极体 ESD 防护。如此可带来更好的组装良率，因此降低成本，并减少ESD 相关生产问题的产生。

950 V CoolMOS P7 可提升多达 1% 的效率， MOSFET 温度降低 2 至 10 C，有助于更高效率的设计。相较于前代 CoolMOS 产品，此款元件的切换损耗降低达 58%，与市场上同类技术相较，改善率超过50%。

新款950 V CoolMOS P7 推出 TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK 及 SOT-223 封装，因此可以从 THD 转换为 SMD 装置。