英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具备优异的RDS(on)与切换效能

英飞凌科技推出全新OptiMOS 6系列，为分立式功率MOSFET技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术，提供显著的效能优势，并涵盖宽广的电压范围。全新40 V MOSFET系列已针对SMPS的同步整流进行最佳化，适用于伺服器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及ORing电路。

相较于前一代产品，新款OptiMOS 6 40 V的导通电阻降低了30％，具备更佳的优质系数(Qg x RDS(on)降低29%、Qgd x RDS(on)降低46%)。因此新款装置在SMPS应用中成为在宽广输出功率范围内进行效率最佳化的理想选择，避免在低负载和高负载状况之间进行取舍。

其效率曲线明确显示OptiMOS 6在低输出功率位准表现上优于前代产品，这归功于其优异的切换效率。即使RDS(on)损耗较大时，但仍可在较高的输出功率上维持上述优点。因此，可简化散热设计并减少并联数量，进而降低系统成本。