盛美半导体推出功率元件立式炉设备 提升IGBT制程合金退火性能

随著电晶体变薄、变小和速度变快，合金退火功能对满足绝缘栅双极型电晶体（IGBT）元件不断增长的生产要求至关重要。因此，半导体制造与晶圆级封装设备供应商盛美半导体近日宣布，其开发的Ultra Fn立式炉设备扩展了合金退火功能，将立式炉平台应用拓展到功率元件制造领域。

据行业研究公司Mordor Intelligence资料：「2019年IGBT市场价值为54亿美元，预计到2025年将达到93.8亿美元，复合年增长率为9.66％。IGBT的广泛应用吸引了许多新公司进入市场。IGBT可驱动或转换多种现代电器中的电能，如炊具，微波炉，电动汽车，火车，变频驱动器（VFD），变速冰箱，空调，灯镇流器，市政电力传输系统和立体声系统，这些都配备了开关放大器。」

除了快速的终端市场增长之外，随著晶片技术的发展，对IGBT的制造要求也在提高。当今的IGBT应用，尤其是电动汽车，需要更快捷的开关功能，更高的功率效率和密度。

盛美半导体设备董事长王晖表示：「如今的IGBT元件必须比以往更小，更快和更薄。盛美已于今年早些时候凭借自己的薄片背面清洗设备进入了该产品类别。我们基于对功率元件制造的经验和理解，为Ultra Fn开发了合金退火功能。 这将使我们的立式炉产品目标客户从晶片制造领域扩展到现在的功率元件领域。」

该Ultra Fn立式炉设备定制化的合金退火功能，可在保护性/惰性气体，还原性的气体条件下或低至微托水准的高真空度条件下进行退火制程。依讬它在晶圆传输系统、制程管和晶舟的设计，可应用于薄片或Taiko晶圆。

该设备可批量处理多达100片12英寸（300毫米）的晶圆。Ultra Fn设备的应用还可扩展到SIN，HTO的低压力化学气相沉积（LPCVD）制程，非掺杂多晶矽和掺杂多晶矽沉积，栅氧化层沉积制程，高达1200度的超高温制程和原子层沉积（ALD）制程。

盛美半导体设备已于本（12）月初交付第一台合金退火设备给功率元件制造商。