美光发招，存储器技术是否已领先三星？

美光近日正式量产1α制程LPDDR4x DRAM，并正向AMD和Acer供应1α制程DRAM，还宣布开始量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器，震撼DRAM市占率领先全球的韩国业界。

据韩国媒体《KoreaBusiness》报道，美光1α制程DRAM相当于韩国三星14纳米制程DRAM。目前美光是世界第一家量产14纳米制程DRAM的公司。2020年11月美光宣布开始量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器后，美光不论DRAM还是NAND Flash快闪存储器生产技术都超越韩国公司。

韩国一位市场人士表示，由于核心制程技术不同，很难直接将美光技术与三星和SK 海力士技术比较，令人惊讶的是，美光在没有极紫外线曝光设备 (EUV) 辅助下，缩小了与两家韩国存储器大厂的差距。

现阶段三星尚未开始量产176层堆栈的NAND Flash快闪存储器。三星表示，2021下半年可量产176层堆栈NAND Flash快闪存储器。但市场人士认为，量产时间实际上会到2021年底。预计三星量产14纳米制程DRAM的时间也会2021年底开始。

韩国半导体产业非常关注美光不使用EUV曝光设备成功开发出14纳米制程DRAM，因这是半导体制程微缩的关键。

市场人士也强调，因ASML的EUV曝光设备每部造价高达1.5 亿美元，生产的存储器会有较高成本。但美光采用DUV曝光设备就能生产存储器产品，产品成本竞争力将更具优势。

仍有韩国专家强调，美光1α制程DRAM和176层堆栈NAND Flash快闪存储器尚未与三星等存储器厂商产品比较是否有相同性能，美光能对两家韩国厂商造成多大威胁，有待观察。