英飞凌CoolGaN IPS系列氮化镓器件瞄准快充充电器和适配器等中低功率应用

近日在深圳举行的英飞凌CoolGaN IPS第三代宽禁带（WBG）功率半导体媒体沟通会上，英飞凌电源与传感系统事业部大中华区副总裁陈志豪和应用市场经理卢柱强详细介绍了英飞凌最新推出的面向30 W-500 W功率级应用的 CoolGaN IPS系列产品。

英飞凌600 V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。 外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。 此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 （e-mode） HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。

据陈志豪先生介绍，英飞凌于1995年正式进入中国大陆市场，无锡是该公司在中国最大的一个工厂，是一个比较特别的后道工厂，也生产一些模组。在大中华区的业务从2003年开始慢慢扩大，从上海办公室、无锡扩厂，然后在北京成立分公司，之后又在无锡第二次扩厂，到今年3月，在深圳成立了智能应用能力中心。

并购赛普拉斯以后，英飞凌现在全球有超过46000名员工，在全球有37个研发中心，包含产品、晶圆厂和后道工厂的研发中心。

卢柱强先生详细介绍了英飞凌的CoolGaN IPS系列氮化镓方案。英飞凌已经能够提供从18W到100W整套系列、覆盖各个功率段的方案，包括高压CoolMOS，低压OptiMOS，以及从赛普拉斯并购来的PAG1方案。例如，OptiMOS PD系列是专门为充电器应用而开发和定义的产品，结合充电器的特点，因为它的功率不是那么大，但是对重载和轻载都要考虑，来满足相关的标准要求，所以会同时兼顾满载、重载和轻载的效率。

最新发布的600 V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L内置隔离栅极驱动器，拥有两个数字 PWM 输入，更易于控制。 为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。 即便在电压上升或下降速率超过 150 V/ns 的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和杰出的稳定性。

IGI60F1414A1L的切换特性可以简易地根据不同的应用借由一些栅极路径的被动元件诸如阻容器件实现。例如，此特性可使电流或电压速率优化，以降低电磁干扰（EMI）效应、稳态栅极电流调整和负栅极电压驱动，在硬切换开关应用中稳定运行。

此外，系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。 这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35 W/in³。 灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如 LLC 谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。