台积电披露：2nm晶圆工厂将在新竹开建！

在制程之争上，台积电一直以此作为芯片代工行业竞争致胜的法宝，也因此一直走在前面。最近，台积电高管披露：2nm晶圆工厂将在新竹开建。

在台积电2021线上技术研讨会期间，高级运营副总裁YPChin披露了与该公司芯片制造能力相关的重要进展。据悉，目前台积电拥有全球将近一半的极紫外光刻（EUV）机器，并且承担了全球先进硅晶圆制程的半数以上产能。此外，YPChin还介绍了台积电的3nm和2nm制造设施，以及规划中的美国亚利桑那州园区的最新进展。

会上，YPChin首先强调了台积电的先进制程产能有望保持30%的复合年增长率（CAGR），并且从16nm和7nm一路介绍到了当前最新的5nm工艺。

按照计划，台积电有望在2021年底将N7产能提升至2018年的四倍，且N5产能也将较去年翻一番。展望到2023年，该公司还致力于将N5产能翻至去年的四倍。

除了N7和N5，台积电还展望了N6和N4等工艺。虽然N4工艺仍处于早期阶段，但7nm（N7和N6）工艺的缺陷密度已经有所下降。

台积电N5/N4缺陷密度

TSMC高级研发副总裁米玉杰表示，N4风险试产将于2021年晚些时候开启。此外YPChin在主题演讲期间分享了有关台积电产能的关键统计数据。

据悉，为减少整体缺陷，现代芯片制造所需的电路尺寸缩小，严重依赖于使用更短波长光线的机器。比如台积电的N5工艺，就使用了更多的极紫外光刻（EUV）层。

目前台积电已经部署了全球近半的EUV光刻机，同时承担了全球65%的先进半导体晶圆出货量（2020上半年的EUV晶圆产能占到了60%）。

台积电计划进一步增加EUV掩膜的用量

作为芯片制造中不可或缺的一环，当在硅镜片上刻印电路的时候，掩膜能够保护成品免受杂志或任何污染而导致的缺陷。

对于台积电来说，该公司也计划在2021年底前将EUV掩膜的产能翻番、延长寿命、同时降低成本，而上一代深紫外光刻（DUV）产线也将受益于此。

接着，YPChin概述了下一代3nm工艺和N2节点的计划，其中台南Fab18工厂可在5/6/7/8阶段负责N3生产，且该工厂可在4阶段扩大现有的N5产能，以确保实现长期目标。

最后，他证实台积电将在新竹市新建一座Fab20工厂，以承担2nm系列工艺的半导体生产。尽管当前仍在忙着征地，但该公司已经为Fab20工厂的初期生产规划了四个阶段。

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