东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效来源:EETOP易特创芯发布时间:2021-02-26147浏览询问 AI中国上海，2021年2月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。为达到175℃的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。应用・用于轨道车辆的逆变器和转换器・可再生能源发电系统・工业电机控制设备特性・漏源额定电压：VDSS＝3300V・漏极额定电流：ID＝800A双通道・宽通道温度范围：Tch＝175℃・低损耗：Eon＝250mJ（典型值）Eoff＝240mJ（典型值）VDS(on)sense＝1.6V（典型值）・低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）・高功率密度的小型iXPLV封装主要规格（除非另有说明，@Tc＝25℃）器件型号MG800FXF2YMS3封装iXPLV额定最大绝对值漏源电压VDSS（V）3300栅源电压VGSS（V）+25／-10漏极电流（DC）ID（A）800漏极电流（脉冲）IDP（A）1600通道温度Tch（℃）175隔离电压Visol（Vrms）6000电气特性漏源电压导通电压（感应）VDS(on)sense典型值（V）VGS＝+20V时，ID＝800A1.6源漏电压导通电压（感应）VSD(on)sense典型值（V）VGS＝+20V时，IS＝800A1.5源漏电压关断电压（感应）VSD(off)sense典型值（V）VGS＝-6V时，IS＝800A2.3杂散电感模块LSPN典型值（nH）12导通开关损耗Eon典型值（mJ）VDD＝1800V时，ID＝800A、Tch＝150℃250关断开关损耗Eoff典型值（mJ）VDD＝1800V时，ID＝800A、Tch＝150℃240如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：MG800FXF2YMS3https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.MG800FXF2YMS3.html如需了解相关东芝SiC功率器件的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。关于东芝电子元件及存储装置株式会社东芝电子元件及存储装置株式会社，融新公司活力与经验智慧于一身。自2017年7月成为独立公司以来，已跻身通用元器件公司前列，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。公司24,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化。东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，实现了超过7500亿日元（68亿美元）的年销售额。公司期望为世界各地的人们建设更加美好的未来。如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址： https://toshiba-semicon-storage.com新闻来源：EETOP易特创芯，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
