东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于
来源:EETOP易特创芯发布时间:2021-03-1192浏览
询问 AI2021年3月11日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。
TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。
数据中心（服务器电源等）
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装，可以减少导通和关断的开关损耗。
最新[4]的DTMOSVI系列
（Ta＝25℃）TK065U65Z
TK090U65Z
TK110U65Z
TK155U65Z
TK190U65Z
尺寸典型值
（mm）
9.9×11.68，厚度＝2.3
漏源导通电阻
RDS(ON)最大值（Ω）
@VGS＝10V
0.065
0.09
0.11
0.155
0.19
栅极电荷总量
Qg典型值（nC）
62
47
40
29
25
输入电容
Ciss典型值（pF）
3650
2780
2250
1635
1370
结壳热阻
Rth(ch-c)最大值（℃/W）
0.462
0.543
0.657
0.833
0.961
常规系列（DTMOSIV）
器件型号
-
-
-
TK20G60W[6]
TK16G60W[6]
注：
[1] 具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2] 截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：VDD＝400V，VGG＝+10V／0V，ID＝15A，Rg＝10Ω，Ta＝25℃）。
[3] 仅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 仅限TK065U65Z
[6] VDSS＝600V，D2PAK封装 新闻来源：EETOP易特创芯，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
