中国投巨资大力发展半导体，会威胁到韩国么？

来源:EETOP易特创芯发布时间:2017-12-05135浏览

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来源：扑克投资家

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不管在整个国家产业的大政策方面，还是在当下的资本市场，“半导体”这三个字，是当之无愧的热点。

在很多人的印象中，大宗商品包括能源、金属、农产品一直以来是我们进口的大头，但事实是，芯片，已经取代原油成为我国每年第一大进口商品。

半导体跟石油最大的差别在于，半导体并非是依赖于一个国家的自然禀赋，而是取决于一个国家的工业实力和科研能力。

对于这种不靠天吃饭、又有着巨大的利润空间的行业，对于中国人来说，无疑有着强烈的国产替代动力。

中国有着13亿人，占世界总人口的1/5。13亿消费者的消费需求如果全推到国际市场，会强烈影响整个市场的供需。

如果中国能够在特定的领域实现国产替代，那就意味着之前那些凭借技术壁垒建立起来的超额利润的国家，会被中国庞大的产能打得满地找牙，跌入低利润再到低份额再到整个行业完全消失的境地。

这一现象，有一个非常著名的专有名词，叫：发达国家的粉碎机。

被中国半导体行业国产化进程中影响最大的一个国家可能是：韩国。

今年恰好是97年金融危机20周年。

1997年11月21日，深陷亚洲金融危机的韩国政府向国际货币基金组织（IMF）求助，换来了被韩国认为是“伪装的祝福”的救济贷款。

20年过去了，韩国《朝鲜日报》在金融危机20周年之际向时任副总理兼财经院长官林昌烈抛出一个问题，韩国经济如今是否存在危机？

回首过去，展望未来，林昌烈忧心忡忡地表示，存在，而且根源就是中国。为了指出危机的危险性，他甚至不惜用癌症作比喻：“这次危机不是像外汇危机那样的急性病，而是可以致死的癌症，因为中国正把韩国主力产业的主导权一个个夺走。”

林昌烈称，中国太可怕了。汽车领域，中国人已经追赶到韩国的下巴处了（韩国人自大的特点暴露无遗啊，什么时候你们下巴这么高了），即便是电子产品，韩国的优势也所剩无几，而在半导体产业，中国更是投入了巨额的资金。

他认为，韩国的当务之急就是加强这些主力产业的竞争力，如果做不到这一点，那么韩国经济就病入膏肓了。

林昌烈称，在国际社会，只要成为弱者，就会被敲骨吸髓直到断气为止，韩国在1997年经历了一次弱者的命运，以后不能再成为弱者了。

半导体及相关的产业，现在几乎可以等同于韩国这个国家的命脉。

因为韩国的经济，系于三星这个庞然大物，所以韩国又有“三星共和国”之称，而三星这头怪兽，近年的营收，很多一部分是系于半导体及其相关的产业。

在韩国人现在开始担忧之前，其实他们这两年已经躺在半导体颗粒上狠狠地啃了全世界一口。2016年韩国三星+海力士两家营业收入为587亿美元，仅次于美国位居世界第二。

半导体颗粒这两年的涨幅和收益率，可能会让整个市场上90%投机者自愧不如。

最近这几年相机、服务器、汽车、智能电视甚至是AI智能都加剧了内存颗粒的供不应求；尤其是智能手机这一爆发性行业，在CPU性能过剩，新架构又出现瓶颈的情况下，内存容量的提升对性能的影响是最直接的。

三星为什么能在手机业务出现大幅倒退的情况下仍然能够大幅盈利，秘诀就在于内存颗粒上的大幅提价，而且是几乎接近翻倍甚至是翻多倍的提价。

在大量的半导体公司倒闭之后，像在内存领域，基本上就只剩下三星、海力士等韩国巨头，事实上这已经是一个巨头垄断的行业。

而韩国能够在这个行业取得垄断地位，最主要的一个原因是：赌国运。

在数十年前，韩国就开始往半导体上押宝，一部韩国现代史，几乎就是一部韩国从美国和日本手中承接半导体行业并超越的历史。

起步阶段(1965—1973)

韩国半导体产业发端于1965年，是从作为美日半导体厂商投资为主的组装基地开始的。时值韩国由进口替代转为出口导向战略，开始注重转向高潜力行业，为此积极鼓励外国高科技企业在韩国投资设厂。

韩国半导体产业的真正开始则始于美国仙童公司，仙童公司是当时全球第三大半导体公司，技术上属最领先行列。1966年，仙童公司向韩国政府提出了一个框架性的半导体制造及装配计划。但该公司所提条件十分苛刻——要求对其所投资的工厂拥有完全所有权，并且其生产的产品可进入韩国国内市场。韩国政府经过考虑，最终同意其要求。

这引发了美国其它公司竞相进入韩国热潮，到1974年，韩国已经有9家拥有完全所有权的美国公司。

此后，韩国国内企业(亚南、LG半导体、现代)也各自通过与美国的技术合作，参与到半导体组装生产，由此构建了几乎将所有产品用于出口的外向型组装生产体系(98％的组装生产产品供出口)。

1965年韩日实现邦交正常化，日本电子跨国企业开始在韩国投资建立封装和测试工厂。1969年，韩国电子与日本东芝合资，开始在国内生产三极管和二极管，其它半导体企业也开始生产三极管等的部分元器件。

东芝作为第一个对韩国的投资者，达成了与韩国合资建立硅晶体工厂的计划，在朴正熙总统的亲自干预下，投资所在地龟尾很快于1970年建成了韩国第一个电子工业园区。龟尾工业园区也成为了韩国工业起飞的基地。

发展扩大阶段(1974—1980)

20世纪70年代韩国工业化进程快速推进，出口贸易中电子工业的比重不断扩大。半导体组装领域，在美日企业的带动下，韩国国内企业已取得了一定成就。

但与此同时，韩国电子企业严重缺乏自主技术，过分依赖国外供应商提供芯片等基础性电子组件，这使得政府制定了施政纲领，强调发展半导体制造业、获取半导体技术能力的重要性。

韩国政府为此倾注了大量努力，1973年，国家科学技术委员会成立，朴正熙总统亲自担任主席，为高科技领域的发展框架制定详细的发展计划。

1975年，政府又公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化。

20世纪80年代初，韩国出现了从事半导体晶圆制造的四家公司：三星、现代电子、乐喜金星和大宇。但其技术水平和生产规模还只是保持在大规模集成电路的生产能力上，其成就也是由韩国政府对产业刺激、市场对产品需求旺盛所推动的。

其实，韩国在此时已具备了先进的超大规模集成技术能力，但却并不是四大公司开拓的，而是设在龟尾的公共部门电信研究中心下属产业研究院在1976年率先获得的。

产业研究院通过与美国硅谷一家超大规模集成技术公司建立合资企业，1978年设立了韩国首家超大规模集成电路试验生产工厂。1979年，该工厂已完全具备了自主生产能力，生产出了16K DRAM。

20世纪70年代，韩国已经陆续从美国和日本获得了半导体工业所需技术，韩国已经具备了进入超大规模集成电路工业的技术水平。

体系形成阶段(1981—1988)

1979年朴正熙总统被暗杀，全斗焕夺取政权，又进入了军事政权统治。全斗焕政府渴望韩国主要电子企业加大对超大规模半导体的研发与生产，以期对抗美日。强大的政府干预能力、高学历人才充足等优势，使得韩国半导体产业在1982年具备了完整的生产体系，取得了飞速发展。

韩国政府的多个部门于1981年正式通过《半导体工业综合发展计划》，这也成为了第一个五年计划(1981～1986)的一部分。

在此基础上三星、现代和LG在得到政府的鼓励下，从1982年开始宣布大举参与超大规模集成技术水平的大规模芯片生产，尤其在DRAM领域。1983年开始成为美国IBM、TI、Intel等的OEM代工工厂，从而逐步拥有DRAM基础生产设备，正式走上了DRAM制造业的发展道路。由此，到1988年，韩国半导体生产总额的70％由OEM出口构成。

追赶与超越阶段(1988年以后)

1987年6月在民主化浪潮中全斗焕总统下台，年底卢泰愚当选总统，政府与当时已确立起来的几家大财阀仍然坚持实施高科技发展战略。

20世纪80年代是韩国本土自主半导体产业诞生并达到超大规模集成技术标准的关键时期，但由于缺乏自主核心，并未在世界市场上引发很大的反响。

韩国于1986年开始进入存储器的自主开发阶段，至1988年之前是在国外原型基础上进行开发，并由三星在1991年大规模投放市场，现代和LG紧随其后。

1992年末又与美日等先进国家同期开发出64M DRAM，并拥有了世界上第一块64M DRAM芯片，完成了在DRAM领域上的追赶，到1995年领先美日开发出了256M DRAM，从而实现了技术的飞速跨越。

之后，1998年亚洲金融风暴爆发，各国都积极重整企业以振兴经济。三星集团也采取了“集中”策略，电子部门便是该策略中的重要一环。这种集中资源、积极推进的策略效果非常明显：

三星在1999年之后一跃成为韩国第一大集团，其存储器产品、薄膜晶体液晶显示器(TFT-LCD)及无线通讯产品销售额大幅增长，韩国的DRAM市场占有率开始超过日本，并成为存储器市场的领导者。

三星集团是韩国最大的企业，而三星电子又是三星集团的核心部分，同时也是韩国最大的电子企业。1974年，创始人李秉哲买下了归侨姜基东博士创立的韩国第一家半导体企业，这可以说是韩国民营企业参与半导体的奠基之举。

大规模集成电路生产则是从1983年开始的，这一年四大财阀都开始关注这一行业，因为这一年股市行情颇佳，它们获取了大量资金。同时，美国经济的不景气，让韩国企业可以更加容易地选择与美国小型半导体公司合作，这些小公司大多很不景气，十分愿意出售其集成电路技术，而这些技术正是韩国人所需要的。

1983年2月，李秉哲发表了一项十分著名的声明，他表示要将三星打造成全球内存芯片的大企业。

他将当时仍很弱小的三星的前途押在了半导体上。70年代，三星最初也试图采取技术引进，为此向美国德州仪器、摩托罗拉、日本电器、东芝、日立公司先后寻求购买64K DRAM的技术许可证，但都遭拒绝。

三星不得不于1982年自己建立研发小组，以其8年的晶体管和集成电路生产经验为基础，谋求向超大规模集成电路迈进。在研发过程中，三星时刻关注美国企业的并购情况，紧接着成功从美国Micron Technology公司购得64K DRAM芯片设计技术许可，从而大大缩短了学习和生产的时间。

在此基础上，三星进一步开始消化吸收设计和工艺水平。

1984年，大批量生产64K DRAM成功后，三星公司又成立了第二支研发团队，一支在国内工作，一直赴硅谷进行256K DRAM的开发。

三星的256KDRAM于1986年实现大批量生产。经过自主开发，三星在追赶美日的进程上又成功地缩短了2年。

随着256K DRAM的大批量生产系统成功的开发，三星研发团队从1985年9月开始，将重点集中到了1M DRAM的开发上。这一次值得注意的是，三星已可以从美国企业购买1M DRAM的设计技术，但三星还是决定自己开发，这一次三星又将任务分配给了国内和硅谷的两支研发团队。

当在面对下一步4M DRAM的开发时，三星遇到了不少困难。1986年德州仪器向三星及八家日本芯片制造商提起了诉讼，指控其侵犯DRAM设计专利权，最终三星以对其过去和未来存储产品销售额赔付专利使用费告终。这表明，如果继续开发4M DRAM芯片，三星有可能会面临更大的竞争压力与挑战。

为此，韩国政府参与了进来。1986年10月，韩国政府参与到半导体工业发展规划上来，指定4M DRAM研发为国家级项目，政府的研究与开发研究所、电子和通讯研究所与三星、现代、LG组成联营企业，目标是在1989年开发并大量生产4MDRAM，完全消除与日本的技术差距。

在联营的3年期间(1986-1989)，共投入1．1亿美元用于研发，其中政府就占到57％，可见政府在其中所起到的关键作用之大。但政府的2家研究所内部发生分歧，导致2家研究所各自开发，三家企业也分别转入不同的领域研发。1988年，三星最早宣布完成了4MDRAM的设计，仅比日本晚6个月。

最终，早生产能力与研发上，韩国财团主宰了4M和16M DRAM的世界市场。此后，256M DRAM及更高的DRAM研发上，三星一直处于超越阶段。

在技术上取得突破地位之后，这些韩国巨头有多恐怖？

以2016年全球半导体20强的营收为例，前20强中美国公司营收总和遥遥领先1197亿美元，世界第一；2016年韩国三星+海力士两家营业收入为587亿美元，仅次于美国位居世界第二；世界第三是我国台湾，台积电+联发科+联电为423.89亿美元；世界第四是欧洲，有三家NXP+英飞凌+ST为243.5亿美元。整个欧洲还没有韩国的一半，是韩国的41.5%；世界第五是日本，索尼+瑞萨+东芝三家加起来是213.74亿美元，只有韩国的36.4%。

单从营收来看，韩国是世界第二半导体强国，比欧洲和日本加起来还要多。

实际上，由于存储器在2017年的疯狂增长，韩国成为全球半导体领域增长最快的国家。根据ICinsight 2017年10月的预计，2017年NAND闪存市场强势增长44%，DRAM市场更是逆天增长74%，两相加持之下，带动2017年IC市场将实现强劲增长22%。

也就是说，2017年存储器占世界半导体的份额不是23%了，而是30%。

这直接使得三星和海力士今年大赚特赚。