imec/ASML公开EUV光刻机单次曝光极限

具体来说，通过工艺优化，使用Inpria的金属氧化物抗蚀剂(MOx)在一次曝光中实现了高密度的28纳米间距线/空间图案化，并考虑到了大规模生产。

通过EUV光刻单次图案化形成的28nm间距L/S图案。在形成Ru金属层后，使用Impria的MOx工艺和当前的EUV全场扫描仪对28nm图案进行构图，其NA = 0.33

使用NXE获得的28nm间距接触孔；NA = 0.33的3400全场扫描仪。显影后的SEM图像

该团队能够将光学和电子束检测与电学数据相关联，从而进一步洞察改善概率缺陷，包括缺陷和电桥。此外，通过对光源的优化，使NXE:3400能够刻出尽可能小的间距(间距为24 nm的线/空间和间距为28 nm的接触孔)，使下一代高NA EUV光刻系统所需的材料得以尽早开发。

据imec介绍，EUV光刻技术已经到了一个关键时刻，要么转向多图案化（多次曝光），为下一代IC刻录更密集的图案，要么用目前的NA=0.33全场扫描器进一步改进单图案化。。