韩媒忧心韩国存储器产业将很快被竞争对手赶上

韩国媒体《BusinessKorea》 的报道指出，目前是全球第五大NAND Flash 供应厂商的美光，日前逐步展示其先进技术的研发实力，除了在2020 年11 月正式向客户提供176 层堆叠的NANDFlash 产品之外，还在2021 年的1 月份开始大量生产第4 代10 纳米级的DRAM，而这些产品目前都还是韩国厂商包括三星或SK 海力士所无法量产的产品。

报道指出，尽管三星及SK 海力士在目前全球的DRAM 市场有着总计71% 的市占率，而NAND Flash 市场也有着合计45% 的市占率。不过，两家公司连续失去的对相关产品全球新技术的首发纪录，这反映了两家公司在技术发展上正面临着竞争对手的严峻挑战。因为，就在1 到2 年前，三星在存储器技术上至少还领先美光约2年的时间。

事实上，当三星在2018 年7 月量产96 层堆叠V-NANDFlash，而且SK 海力士在2019 年6 月份首次量产128 层堆叠的4DNAND Flash 之时，美光则是到2020 年的第2 季才开始量产旗下的128 层堆叠NAND Flash。甚至，三星还保持了从第1 代到第3 代的10 纳米级DRAM 的全球首发纪录。不过，在当前美光陆续取得两项产品领先之后，相关的韩国市场人士开始担忧，其韩国在存储器产业的市场领先优势还能够维持多久。