「先进光电技术·智能绿色制造」第十六届全国MOCVD学术会议安徽屯溪盛大召开

来源:半导体产业网发布时间:2020-08-067浏览

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三十年的传承与积淀，两年一次的相聚与畅谈。8月5日，以“先进光电技术·智能绿色制造”为主题的第十六届全国MOCVD学术会议在安徽屯溪盛大开幕。

中国科学院院士、南京大学郑有炓教授，中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授，厦门大学校长张荣教授，第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲，中国科学院半导体研究所李晋闽研究员，中国科学院半导体研究所陈弘达研究员，南京大学电子科学与工程学院院长金飚兵教授，中国有色金属学会理事长贾明星，北京大学理学部副主任沈波教授，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所杨辉研究员，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副所长徐科研究员，中科院长春光机所黎大兵研究员，山东大学徐现刚教授，厦门大学康俊勇教授，中科院上海技物所王建禄研究员，中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵教授，南京大学电子科学与工程学院副院长刘斌教授，安徽大学电子信息工程学院院长黄志祥教授，长治高新区管委会副主任贾晓伟，三安光电股份有限公司总经理林科闯等一大批业界资深专家、教授和优秀中青年学者出席本次会议。来自MOCVD技术领域国内外顶级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表500余人参与本次学术盛会。大会开幕式由厦门大学校长张荣主持。

“一代材料，一代器件，一代工艺，一代装备”。装备强则国强。当前阶段,高端装备与核心装置是“大国重器”,是我国成为制造强国的基础。高端科技就是现代的国之利器。MOCVD是LED生产过程中的核心装备，是决定LED产业发展技术水平的关键因素。由于技术含量高，MOCVD设备站在了LED行业价值链的顶端，MOCVD设备是专利技术密集型产业，而其核心技术大多掌握在少数企业手中。国产半导体设备厂商近年来不断加大自主研发力度，半导体设备国产化比重逐步提升，一些行业龙头企业也正迎来发展拐点。特别是近年来国产化的大力推进，国产MOCVD设备开始赢得了国内LED芯片厂商的认可。

中国是当前全球最大的集成电路消费国，半导体设备与材料多年来一直被视为中国集成电路产业自主发展的一大瓶颈和短板。随着国内新一轮集成电路投资扩产热潮的兴起，半导体设备需求也水涨船高。MOCVD作为半导体产业最为核心的重大装备之一，其技术进步与装备智能化、国产化成为产业界共同关注的话题。

本届会议由国家科学技术部指导，安徽省教育厅、安徽省科学技术厅、江苏省科学技术厅支持，中国有色金属学会、南京大学、厦门大学、中国科学技术大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)联合主办，江苏省光电信息功能材料重点实验室、江苏省2011"固态照明与节能电子学"协同创新中心、教育部光电材料与芯片技术工程中心、半导体照明联合创新国家重点实验室、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，安徽大学、黄山学院信息工程学院、西安电子科技大学芜湖研究院全力协办。

其中，中微公司、亚格盛、中科潞安、AIXTRON、Crosslight、德智新材、南京集芯光电、博蓝特、西安电子科技大学芜湖研究院、Mbraun、华邦化学、Horiba 堀场、先普、翱晶半导体、纳维科技、MalvernPanalytical、志橙半导体、隆兴达科技、迈塔光电、尚勤光电、普发真空、德仪、德国WITec、奥趋光电、中晟光电、元旭光电、正通远恒、晶湛半导体、颐光科技、桂林雷光、米格实验室、芯鹏致力等来自国内外的半导体关键设备、衬底材料、外延芯片、测量、检测、石墨、Mo源以及高纯气体等材料国内外知名厂商参加此次会议，助力MOCVD关键设备及技术产学研用合作，加速先进光电技术与智能绿色制造国产化进程。会议围绕“先进光电技术·智能绿色制造”这一主题开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。

南京大学教授、中国科学院院士郑有炓，中国有色金属学会理事长贾明星，第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲，三安光电股份有限公司总经理林科闯先后为大会致开幕词。

郑有炓院士致辞时表示，本次会议具有里程碑式意义，而且会议涌现了很多新面孔，产业发展不断进步。当前5G技术驱动牵引，第三代半导体的发展迅速，郑院士分享了当前5G信息时代的技术产业变化与形势以及可能的业态变化。

他表示，5G信息技术时代第三代半导体迎来新发展机遇，其中新型基础设施建设背景下车联网、工联网、智能制造、轨道交通等正在跨界融合，5G网络、大数据、云计算、物联网、人工智能、数据中心，无线基站等发展迅速，而宽禁带半导体技术与第一二代半导体优势互补，协同支撑，射频芯片、功率芯片、传感芯片、发光芯片等快速发展，MOCVD产业面临新机遇、新挑战、新发展。第三代半导体也成为支撑5G信息化发展，可持续发展一个新的起点，发展前景明朗。

中国有色金属学会理事长贾明星致辞时表示，MOCVD技术是半导体物理等学科交叉的新型科学技术，目前已在各类重要的化合物半导体材料及其器件制备上得到了广泛应用，极大推动了各类光电子和微电子器件的发展和产业化。但也要看到我国高性能半导体材料的制备技术仍然处于跟跑阶段，尽快突破半导体材料及器件制备的关键技术是从事半导体产业广大科技工作者的光荣使命和历史责任。此次会议如期召开，相信对我国MOCVD及第三代半导体的学术研究与产业发展将会起到有利的推动作用。

第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲为大会致辞，她表示，从第三代半导体的发展来看，到了一个重要的机遇期，希望能在不远的将来产业全创新链进入世界先进行列。我们仍然面临很大的挑战，其中人才是非常重要的因素，急需产业技术人才，人才培养要放到第一位，也还有很长的路要走。我国产业创新体系完整，产业链已经启动，但是产业链条是否通畅，产业协同发展是否科学，还有很多问题要解决。她还表示，从国家层面来看，即将开启的“十四五”，半导体材料将是一个重要方向，也将考虑推出示范工程。思考如何通过应用加快迭代研发，凝练出关键共性技术，推动产业健康可持续发展，非常重要。希望通过这次会议，大家能充分交流，在业界的共同努力下，迎接新的发展机遇。

第三代半导体材料的发展与产业一直紧密的联系在一起，三安光电总经理林科闯致辞时表示，MOCVD技术非常重要，从三安光电的角度希望可以在化合物半导体领域做大做强，所以非常关注MOCVD的应用领域。经过多年努力，从深紫外到远红外，在LED、射频等领域，三安光电都投入巨大。时代给了业界机遇，也带来了挑战，在宽禁带半导体的发展过程中，企业还是要冲在前面。同时，产业发展也需要材料和技术的支撑，希望国产MOCVD可以不断升级，更好的应用。

随后的主题报告环节，中国科学院院士郑有炓与北京大学教授沈波共同主持。中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了“从半导体科技谈创新体系建设”的主题报告；中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授分享了“纯LED照明进展”；中国科学院半导体照明研发中心、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽研究员带来了“疫情下的半导体深紫外LED技术与发展趋势”的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了超宽禁带半导体氧化镓的外延生长。几大精彩主题报告，从技术、产业，趋势的角度，广度与深度结合，高屋建瓴，酣畅淋漓，带来一场知识与认知的激荡。

后疫情时代凸显半导体科技战略地位，芯片将是相当长一段时间内大国博弈的最前沿。芯片“卡脖子”问题成为长时期的重大挑战。郝跃院士在报告中详细分享了当前半导体芯片技术的博弈现状，以及中美半导体之间的发展态势。同时分享了半导体芯片在射频、半导体照明、通信等领域的应用状况。并重点分享了电子器件的重要进展，包括GaN肖特基二极管，GaN低压射频HEMT器件，GaN毫米波超高频HEMT器件，GaN圆片级异质集成技术的进展。

他表示，未来我们要建立自己的创新体系，比如坚持以科技促产品，以产品促创新能力，坚持需求牵引、市场与科技创新双驱动，坚持产学研合作共赢，坚持国际化开放，体系化布局。强化创新文化、研发投入、有序竞争、机制体制等。

当前市场主流是荧光型LED照明技术，蓝光LED激发稀土荧光粉，可以解决传统光源效率低下的问题，为节能减排做出了重要贡献，但也存在着光效与色温难以兼顾，存在富蓝光风险，光谱固定不可调等问题。正在发展中的纯LED照明技术由多色LED混合获得白光，仅有电致发光过程，纯粹的LED照明技术拥有兼顾光效、显指和色温，蓝光可控/实现健康照明，光谱可调/实现智慧照明等诸多优点。

江风益院士在报告中表示发展纯LED照明技术是提高光品质，实现按需照明，节能稀土资源，实现高速可见光通信的需要。他从材料、光效技术、MOCVD装备，应用案例等多个维度分享了当前纯LED照明技术和应用进展。他认为纯LED照明技术已达到实用水平，市场推广表明，目前水平在超低色温照明市场有竞争力。纯LED照明技术仍有很大发展空间，关键在于全方位、大幅度提升各种颜色LED，特别是黄、绿光LED的光效。硅基氮化物材料质量取得新进展，为发展UVC和Micro LED提供了技术基础。

今年突如其来的新冠肺炎疫情席卷全球，给各国造成严重的生命财产损失，防范化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。在疫情防控战中，深紫外LED备受关注。李晋闽研究员在报告中全面分享了深紫外LED与疫情防控的状况，以及从材料到装备深紫外LED技术最新进展、挑战与发展建议。

他表示氮化物深紫外LED作为下一代紫外光源，具有广阔的应用前景。紫外LED应用市场正面临快速增长的良好机遇，及早部署，把握先机，方可有望成为未来的市场领导者。深紫外LED产业面临着从装备、外延、芯片到封装中的一系列技术挑战，尤其以装备和外延最为核心，开发出高性能深紫外MOCVD装备是突破深紫外LED产业瓶颈的关键。

宽禁带半导体材料具有耐压、低损耗、高频率、耐热、高稳定性等特点，氧化镓作为新兴超宽禁带半导体，具有禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射损伤、生长成本低等优点，是超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。厦门大学校长张荣教授在报告中，从材料外延技术、应用需求等多个角度，前沿与应用结合，详细分享了当前氧化镓国内外最新进展。